[发明专利]CMOS工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路在审
| 申请号： | 202010417842.2 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111562806A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 方建平;边疆;张适 | 申请（专利权）人： | 西安拓尔微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 金凤 |
| 地址： | 陕西省西安市高新区科技*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 实现 温度 系数 电压 电流 参考 电路 | ||
本发明提供了一种CMOS工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路，电路通过N沟道耗尽型MOS管的阈值电压具有正温度系数和N沟道增强型MOS管的阈值具有负温度系数在电路中相互抵消，达到具有很低的温度系数电压电流参考源产生电路。本发明整体电路设计简单，输出稳定的电压电流参考源，具有很低的温度系数，可根据实际需求进行调节可修调的熔丝的通断，从而得到不同的电压与电流参考源。
技术领域
本发明涉及电路技术领域，尤其是涉及一种低温度系数的电压参考电路。
背景技术
目前随着科学技术的发展，家用电器不断地小型化集成化，对于电源芯片的要求也越来越高。目前大多数芯片在使用过程中都要求在-40℃-150℃的范围内工作正常，这就需要电路内部的电压电流不随温度的变化，也就是具有很低的温度系数。目前，大多数电流电压源产生电路的温度系数都较高、或者是采用双极型带隙基准，电路内部结构很复杂，成品芯片面积大，对于温度的变化很敏感，不利于电源电路的使用。因此设计一种可在标准CMOS工艺上实现的简单低温度系数的电压电流源参考电路具有很高的必要性。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明提供一种CMOS工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路，本发明提供可在标准CMOS工艺上实现的简单低温度系数电压及电流参考源电路，电路通过N沟道耗尽型MOS管的阈值电压具有正温度系数和N沟道增强型MOS管的阈值具有负温度系数在电路中相互抵消，达到具有很低的温度系数电压电流参考源产生电路。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种CMOS工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路，包括P沟道增强型MOS管PM1-PM3，N沟道耗尽型MOS管NM1、NM2、NM5，N沟道增强型MOS管NM3、NM4、NM6-NM10，电阻R1-R9，可修调的熔丝T1-T6，电容C1，控制电路端口，VIN输入端口、VR电压输出端口和IR电流输出端口；
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安拓尔微电子有限责任公司，未经西安拓尔微电子有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010417842.2/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种挂轨机器人用滑触线结构
- 下一篇：一种新能源秸秆增效剂
