[发明专利]模制芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202010418048.X | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111987004A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 铃木克彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 制造 方法 | ||
1.一种模制芯片的制造方法，其中，
该模制芯片的制造方法具有如下的步骤：
准备步骤，将成列的多个器件芯片的器件面粘贴在耐热性的保护部件上而形成由多个器件芯片构成的芯片组；
模制步骤，在实施了该准备步骤之后，向器件芯片的背面侧以及各器件芯片之间的间隙提供模制树脂，利用模制树脂将器件芯片的背面和侧面包覆而形成模制晶片；以及
模制分割步骤，在实施了该模制步骤之后，根据对模制晶片的正面侧进行拍摄而得的图像，沿着填充有模制树脂的该间隙的中央而将模制晶片分割成模制芯片。
2.根据权利要求1所述的模制芯片的制造方法，其中，
在该准备步骤中包含如下的步骤：
槽形成步骤，对在由分割预定线划分的正面的多个各区域内形成有器件的晶片沿着正面的该分割预定线形成深度超过完工厚度的槽；
保护部件粘贴步骤，在形成有该槽的晶片的正面上粘贴该保护部件；以及
磨削步骤，对晶片的背面进行磨削而使该槽露出并且将晶片分割成器件芯片。
3.根据权利要求1所述的模制芯片的制造方法，其中，
在该准备步骤中包含如下的步骤：
薄化步骤，对在由分割预定线划分的正面的多个区域内形成有器件的晶片的背面进行磨削而薄化至完工厚度；以及
分割步骤，将薄化后的晶片沿着该分割预定线进行分割。
4.根据权利要求1所述的模制芯片的制造方法，其中，
该模制芯片的制造方法还具有如下的扩展步骤：在实施了该准备步骤之后且在实施该模制步骤之前，将该保护部件沿面方向进行扩展，将器件芯片彼此的距离扩展。
5.根据权利要求1所述的模制芯片的制造方法，其中，
晶片的外周侧面形成为圆弧状，该准备步骤包含沿着晶片的外周缘将晶片正面侧的该圆弧状的部分去除的边缘修整步骤，
在该模制步骤中，利用模具将提供至晶片背面的模制树脂朝向晶片背面按压。
6.根据权利要求1所述的模制芯片的制造方法，其中，
该模制芯片的制造方法还具有如下的保护部件剥离步骤：在实施了该模制步骤之后，在模制晶片的背面侧粘贴粘接带而将保护部件从模制晶片的正面侧剥离，
在该模制分割步骤中，从该模制晶片的正面侧进行分割加工。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
