[发明专利]模制芯片的制造方法在审
申请号: | 202010418048.X | 申请日: | 2020-05-18 |
公开(公告)号: | CN111987004A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 铃木克彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 制造 方法 | ||
提供模制芯片的制造方法,能够确保器件的电连接。模制芯片的制造方法包含如下的步骤:准备步骤,将成列的多个器件芯片的器件面粘贴在耐热性的保护部件上而形成由多个器件芯片构成的芯片组;模制步骤,在实施了准备步骤之后,向器件芯片的背面侧以及各器件芯片之间的间隙提供模制树脂,利用模制树脂将器件芯片的背面和侧面包覆而形成模制晶片;以及模制分割步骤,在实施了模制步骤之后,根据对模制晶片的正面侧进行拍摄而得的图像,沿着填充有模制树脂的间隙的中央而将模制晶片分割成模制芯片。
技术领域
本发明涉及模制芯片的制造方法。
背景技术
为了保护半导体器件芯片免受外部环境变化的影响,已知有利用模制树脂进行包覆而进行保护的技术。例如有BGA(Ball Grid Array,焊球阵列封装)、CSP(ChipSizePackage,芯片尺寸封装)等,但这些技术中,将所搭载的基板和芯片利用线进行连接,因此完成的封装会比芯片大很多。因此,发明了WL-CSP(Wafer level ChipSize Package,晶片级芯片尺寸封装)的封装,但该技术利用模制树脂将具有6个面的芯片的仅1个面包覆,因此保护不充分。
另外,发明了如下的方法:在晶片的间隔道(分割预定线)上形成槽,在晶片的正面和槽中填充模制树脂,然后对背面进行磨削,将间隔道的模制树脂的中央切割,将芯片的5个面利用模制树脂进行模制(例如参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2017-022280号公报
但是,专利文献1所示的技术具有如下的课题:在对器件面侧进行了模制之后,与器件的电极连接的凸块被模制树脂包覆,会抑制电连接。
发明内容
由此,本发明的目的在于提供能够确保器件的电连接的模制芯片的制造方法。
根据本发明,提供模制芯片的制造方法,其中,该模制芯片的制造方法具有如下的步骤:准备步骤,将成列的多个器件芯片的器件面粘贴在耐热性的保护部件上而形成由多个器件芯片构成的芯片组;模制步骤,在实施了该准备步骤之后,向器件芯片的背面侧以及各器件芯片之间的间隙提供模制树脂,利用模制树脂将器件芯片的背面和侧面包覆而形成模制晶片;以及模制分割步骤,在实施了该模制步骤之后,根据对模制晶片的正面侧进行拍摄而得的图像,沿着填充有模制树脂的该间隙的中央而将模制晶片分割成模制芯片。
优选该准备步骤包含如下的步骤:槽形成步骤,对在由分割预定线划分的正面的多个各区域内形成有器件的晶片沿着正面的该分割预定线形成深度超过完工厚度的槽;保护部件粘贴步骤,在形成有该槽的晶片的正面上粘贴该保护部件;以及磨削步骤,对晶片的背面进行磨削而使该槽露出并且将晶片分割成器件芯片。
优选该准备步骤包含如下的步骤:薄化步骤,对在由分割预定线划分的正面的多个区域内形成有器件的晶片的背面进行磨削而薄化至完工厚度;以及分割步骤,将薄化后的晶片沿着该分割预定线进行分割。
优选所述模制芯片的制造方法还具有如下的扩展步骤:在实施了该准备步骤之后且在实施该模制步骤之前,将该保护部件沿面方向进行扩展,将器件芯片彼此的距离扩展。
优选晶片的外周侧面形成为圆弧状,在该准备步骤中包含沿着晶片的外周缘将晶片正面侧的该圆弧状的部分去除的边缘修整步骤,在该模制步骤中,利用模具将提供至晶片背面的模制树脂朝向晶片背面按压。
优选所述模制芯片的制造方法还具有如下的保护部件剥离步骤:在实施了该模制步骤之后,在模制晶片的背面侧粘贴粘接带而将保护部件从模制晶片的正面侧剥离,在该模制分割步骤中,从该模制晶片的正面侧进行分割加工。
本发明的模制芯片的制造方法起到能够确保器件的电连接的效果。
附图说明
图1是示出通过第1实施方式的模制芯片的制造方法制造的模制芯片的一例的立体图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造