[发明专利]一种X波段80瓦功率放大器的制作工艺

权利要求书

1.一种X波段80瓦功率放大器的制作工艺，其特征在于：所述制作工艺包括以下步骤：

S1：射频电路板烧结，具体包括如下步骤：

S11：将射频电路板正面和80W功率放大器模块主腔体的外壁全部贴高温胶带，贴膜保护；

S12：匹配锡膏：将焊膏均匀抹在射频电路板背面；

S13：用酒精棉擦拭射频电路板背面和8W功率放大器模块主腔体中射频电路板烧结位置，擦拭完成后晾干；在焊膏正反面涂覆一层助焊剂，将焊膏放置在腔体内均匀平铺，将其贴在射频电路板正面置上与8W功率放大器模块主腔体内，按压射频电路板，使其与焊膏充分接触；

S14：装馈电绝缘子：用自动点胶机在馈电绝缘子金属壁上涂覆焊膏装入腔体内，馈电绝缘子钉头一面置于功放模块腔体正面，且与8W功率放大器模块主腔体内平面齐平，再装入射频电路板烧结压块；

S15：将上一步完成的模块放置在加热平台上烧结，待焊锡融化后迅速取下8W功率放大器模块主腔体放置在散热板上，按压射频电路板烧结工装，按压后取下射频电路板烧结工装，将射频电路板上高温胶带撕除；

S2：80W功率放大器芯片共晶，具体包括如下步骤：

S21：金锡焊片匹配：在显微镜下，将金锡焊片切割成大小一致的焊片；

S22：将准备好的金锡焊片、载体和芯片放置在玻璃器皿内，用等离子清洗机进行清洗；

S23：芯片共晶：先进行功率放大芯片共晶，将载体放置在共晶台的加热台上固定，将对应的载体的焊片均匀的平铺在载体上，对焊片进行涂覆，夹取功率放大器在涂覆区进行共晶，夹取芯片电容共晶到芯片位置；

S24：烧结芯片：将涂覆焊锡的共晶后的80W功率放大组件装入S1中完成装配的80W功率放大器模块主腔体内，放置在加热平台上，在显微镜下用镊子进行摩擦焊方式进行烧结；

S3：阻容器件胶结，具体包括如下步骤：

S31：贴装电阻：用气动点胶机在电阻与射频电路板接触位置点涂导电胶，将电阻贴装到电阻位置；

S32：贴装电容：用气动点胶机在电容与射频电路板接触位置点涂导电胶，将个电容贴装到电容位置；

S33：将贴有电阻和电容的80W功率放大器模块主腔体放置在烘箱上烘；从烘箱取下80W功率放大器模块主腔体放置在散热块上散热至冷却；

S34：将上一步胶结电阻和电容的80W功率放大器模块主腔体进行清洗，清洗时80W功率放大器模块主腔体正面朝下，操作中避免绝缘子变形、破损；

S4：金丝键合：功率放大器供电焊盘与微波电路板之间处使用金丝键合，其余芯片电容的焊盘与射频电路板之间使用锲型焊；

S5：封盖。

2.如权利要求1所述X波段80瓦功率放大器的制作工艺，其特征在于：所述射频电路板为罗杰斯5880型号射频电路板。

3.如权利要求1所述X波段80瓦功率放大器的制作工艺，其特征在于：所述S12步骤中，使用工具刀将215-220℃焊膏均匀抹在射频电路板背面，并尺刮匀在射频电路板背面。

4.如权利要求1所述X波段80瓦功率放大器的制作工艺，其特征在于：所述S15步骤中，将上一步完成的模块放置在230±5℃加热平台上烧结，烧结时间2-3min，待焊锡融化后迅速取下8W功率放大器模块主腔体放置在散热板上，用铲子按压射频电路板烧结工装，按压10-20s后取下射频电路板烧结工装，用铲子将射频电路板上高温胶带撕除，按压时力道均匀。

5.如权利要求1所述X波段80瓦功率放大器的制作工艺，其特征在于：所述S21步骤中，金锡焊片为Au80Sn20金锡焊片，金锡焊片厚度控制在0.018-0.022mm。

6.如权利要求1所述X波段80瓦功率放大器的制作工艺，其特征在于：所述S23步骤中，使用高精度镊子夹取载体放置在共晶台的加热台上固定，加热台共晶台温度为335℃±5℃；。