[发明专利]一种X波段80瓦功率放大器的制作工艺

说明书

本发明公开了一种X波段80瓦功率放大器的制作工艺，包括以下步骤：采用罗杰斯5880射频电路板烧结、80W功率放大器芯片共晶、阻容器件胶结、金丝键合以及将盖板装入电测试合格的80W功率放大器模块主腔体完成封盖；该X波段80瓦功率放大器的制作工艺设计合理，借助微电子组封装工艺技术，可高效制作出稳定可靠的X波段80瓦功率放大器，制作的放大器具有散热好、指标优异、稳定性高、体积小、可靠性高等的特点。

技术领域

本发明涉及微波模块制作技术领域，尤其是涉及一种X波段80瓦功率放大器的制作工艺。

背景技术

随着有源相控阵雷达和气象雷达的快速发展，射频单片集成电路已成为当前发展各种雷达、和通信系统的重要支柱，并广泛应用于各种先进的舰用火控雷达、以及各种先进战斗机的机载有源相控阵雷达中。

随着雷达技术的飞速发展，X波段80W脉冲功率放大器在各个领域都得到了越来越广泛的应用，比如机载火控雷达系统采用X波段80W脉冲功率放大器后可使其发射出较高的功率，以提高识别的精度增加战斗机探测距离；通信测量设备用X波段80W脉冲功率放大器来增大发射通道功率；在X波段有源相控阵雷达中，X波段80W脉冲功率放大器是TR组件的主要组成单元，功率放大器可以较好地解决信号的输出功率小和噪声大的问题；但现有X波段80瓦功率放大器的制作工艺繁琐，制作效率低，制作出的放大器稳定性和可靠性不佳。

发明内容

针对现有技术不足，本发明提供一种X波段80瓦功率放大器的制作工艺，其制作工艺合理，可高效制作出稳定可靠的X波段80瓦功率放大器。

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：

该X波段80瓦功率放大器的制作工艺，包括以下步骤：

S1：射频电路板烧结，具体包括如下步骤：

S11：将射频电路板正面和80W功率放大器模块主腔体的外壁全部贴高温胶带，贴膜保护；

S12：匹配锡膏：将焊膏均匀抹在射频电路板背面；

S13：用酒精棉擦拭射频电路板背面和8W功率放大器模块主腔体中射频电路板烧结位置，擦拭完成后晾干；在焊膏正反面涂覆一层助焊剂，将焊膏放置在腔体内均匀平铺，将其贴在射频电路板正面置上与8W功率放大器模块主腔体内，按压射频电路板，使其与焊膏充分接触；

S14：装馈电绝缘子：用自动点胶机在馈电绝缘子金属壁上涂覆焊膏装入腔体内，馈电绝缘子钉头一面置于功放模块腔体正面，且与8W功率放大器模块主腔体内平面齐平，再装入射频电路板烧结压块；

S15：将上一步完成的模块放置在加热平台上烧结，待焊锡融化后迅速取下8W功率放大器模块主腔体放置在散热板上，按压射频电路板烧结工装，按压后取下射频电路板烧结工装，将射频电路板上高温胶带撕除；

S2：80W功率放大器芯片共晶，具体包括如下步骤：

S21：金锡焊片匹配：在显微镜下，将金锡焊片切割成大小一致的焊片；

S22：将准备好的金锡焊片、载体和芯片放置在玻璃器皿内，用等离子清洗机进行清洗；

S23：芯片共晶：先进行功率放大芯片共晶，将载体放置在共晶台的加热台上固定，将对应的载体的焊片均匀的平铺在载体上，对焊片进行涂覆，夹取功率放大器在涂覆区进行共晶，夹取芯片电容共晶到芯片位置；

S24：烧结芯片：将涂覆焊锡的共晶后的80W功率放大组件装入S1中完成装配的80W功率放大器模块主腔体内，放置在加热平台上，在显微镜下用镊子进行摩擦焊方式进行烧结；

S3：阻容器件胶结，具体包括如下步骤：

S31：贴装电阻：用气动点胶机在电阻与射频电路板接触位置点涂导电胶，将电阻贴装到电阻位置；