[发明专利]显示基板及显示基板的制备方法

权利要求书

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的GaN层；

位于所述衬底和所述GaN层之间的牺牲层；

其中，所述牺牲层具有多个开口，所述GaN层填充满所述开口且与所述衬底相接触，且所述GaN层覆盖所述牺牲层远离所述衬底的表面，所述牺牲层用于吸收激光能量。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述牺牲层的材料包括氮化硅。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述牺牲层呈多孔纳米结构。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述开口为所述多孔纳米结构的孔隙；所述牺牲层的厚度范围在5纳米～20纳米。

5.根据权利要求1或3所述的显示基板，其特征在于，具有所述多个开口的所述牺牲层呈网状结构，且所述开口为所述网状结构的网孔。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述牺牲层的表面的剖面方向上，所述开口的宽度范围在0.8微米～1.2微米，相邻两个所述开口之间牺牲层的宽度范围在0.2微米～0.7微米；

优选地，所述开口的宽度为1微米，相邻两个所述开口之间所述牺牲层的宽度为0.5微米。

7.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述开口在所述牺牲层远离所述衬底的表面的正投影形状包括圆形、椭圆形、矩形、菱形或三角形。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述GaN层包括依次层叠设置的第一GaN层、第二GaN层、量子阱层以及第三GaN层；所述牺牲层位于所述第一GaN层与所述衬底之间。

9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成牺牲层，其中，所述牺牲层具有多个开口，且所述牺牲层用于吸收激光能量；

在所述多个开口暴露出的所述衬底上生长GaN层，所述GaN层填充满所述开口且与所述衬底相接触，且所述GaN层覆盖所述牺牲层远离所述衬底的表面。

10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成牺牲层，包括：

在所述衬底上通入甲硅烷和氨气生长形成具有所述多个开口的所述牺牲层；优选地，生长时间在60秒～180秒。