[发明专利]显示基板及显示基板的制备方法

说明书

本发明实施例涉及半导体技术领域，公开了一种显示基板及显示基板的制备方法，本发明中显示基板包括：衬底；位于所述衬底上的GaN层；位于所述衬底和所述GaN层之间的牺牲层；其中，所述牺牲层具有多个开口，所述GaN层填充满所述开口且与所述衬底相接触，且所述GaN层覆盖所述牺牲层远离所述衬底的表面，所述牺牲层用于吸收激光能量，提高了激光剥离衬底时发光二极管的良率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种显示基板及显示基板的制备方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)是一种半导体固态发光器件，其利用半导体P-N结作为发光材料，可以直接将电能转换为光能。在各种半导体材料中，以氮化镓(GaN)为代表的III-V族化合物半导体由于具有散热好，能够承载大电流，发光强度高，耗电量小，寿命长等优点，使得发光二极管特别是高亮度的蓝光发光二极管和白光二极管在通用照明、景观照明、显示器背光照明、汽车照明中被广泛应用。

在现有技术中，激光剥离衬底是制备发光二极管必要且关键的环节，但是，现有的激光剥离衬底时存在容易造成发光二极管的良率很低的问题。

发明内容

本发明实施方式的目的在于提供一种显示基板及显示基板的制备方法，提高激光剥离衬底时发光二极管的良率。

为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种显示基板，包括：衬底；位于所述衬底上的GaN层；位于所述衬底和所述GaN层之间的牺牲层；其中，所述牺牲层具有多个开口，所述GaN层填充满所述开口且与所述衬底相接触，且所述GaN层覆盖所述牺牲层远离所述衬底的表面，所述牺牲层用于吸收激光能量。

另外，所述牺牲层的材料包括氮化硅。氮化硅材料性能稳定，并且能够有效吸收激光能量。

另外，所述牺牲层呈多孔纳米结构。该多孔纳米结构能够有效分散氮气冲击时产生的应力。

另外，所述开口为所述多孔纳米结构的孔隙；所述牺牲层的厚度范围在5纳米～20纳米。该方案可直接利用金属有机化合物化学气相沉淀法在衬底上形成具有多个开口的多孔纳米结构的牺牲层，简化了显示基板的制程。

另外，具有所述多个开口的所述牺牲层呈网状结构，且所述开口为所述网状结构的网孔。该方案由于牺牲层的开口为网状结构的网孔，需将牺牲层刻蚀呈网状结构，得到具有多个开口的牺牲层。因此，在制备氮化硅牺牲层时，可将牺牲层制备较厚。如此，厚度较厚的牺牲层吸收激光能量的能力提升，从而进一步地减少了激光能量对GaN层的分解。

另外，在垂直于所述牺牲层的表面的剖面方向上，所述开口的宽度范围在0.8微米～1.2微米，相邻两个所述开口之间牺牲层的宽度范围在0.2微米～0.7微米；优选地，所述开口的宽度为1微米，相邻两个所述开口之间所述牺牲层的宽度为0.5微米。该方案不会由于开口过小或分布不均匀而无法形成覆盖牺牲层远离衬底表面的GaN层。

另外，所述开口在所述牺牲层远离所述衬底的表面的正投影形状包括圆形、椭圆形、矩形、菱形或三角形。该方案给出了开口形状的多种选择。

另外，所述GaN层包括依次层叠设置的第一GaN层、第二GaN层、量子阱层以及第三GaN层；所述牺牲层位于所述第一GaN层与所述衬底之间。给出了一种GaN层可实施方式。

本发明的实施方式还提供了一种显示基板的制备方法，包括：在衬底上形成牺牲层，其中，所述牺牲层具有多个开口，且所述牺牲层用于吸收激光能量；在所述多个开口暴露出的所述衬底上生长GaN层，所述GaN层填充满所述开口且与所述衬底相接触，且所述GaN层覆盖所述牺牲层远离所述衬底的表面。