[发明专利]芯片封装用金属陶瓷立针注射成型工艺

说明书

本发明公开了芯片封装用金属陶瓷立针注射成型工艺，包括以下步骤：配方设计、材料配比、材料制粉、粉末干燥、加入型剂、材料挤出、材料破碎、注射成型、胚料脱脂、产品烧结。本发明的芯片封装用金属陶瓷立针注射成型工艺，采用金属陶瓷材料，成型后可以将金属覆盖工件表面，提高工件的硬度和致密性，而且降低生产成本，再通过脱脂烧结，提高材料的致密性，然后降低制品的孔隙度，而且使用粘接剂可以使粉末的排布更加均匀，这样可以消除毛坯微观组织上的不均匀，提高工件的理论密度。

技术领域

本发明涉及注射成型技术领域，具体为芯片封装用金属陶瓷立针注射成型工艺。

背景技术

将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜集成电路；另有一种厚膜集成电路是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路，在实际使用中需要对芯片进行封装后才能继续使用，而封装类别包括有金属封装、陶瓷封装以及塑料封装，而封装工件一般采用的使注射成型工艺，它是指有一定形状的模型，通过压力将融熔状态的胶体注入模腔而成型，但现有的芯片封装的材料大多采用的单一，导致注射成型工艺的成本过高，而且还会导致封装零件的性能较差，使用过程中硬度和密度都不高，而且在注射成型工艺过程中，脱脂烧结工艺过于简单，导致封装零件的致密度不高，导致零件质量差。

发明内容

本发明的目的在于提供芯片封装用金属陶瓷立针注射成型工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：芯片封装用金属陶瓷立针注射成型工艺，包括以下步骤：

（1）配方设计：材料配方的设计；

（2）材料配比：将费式粒度0.4~1.0微米的碳氮化钛、碳化钨、碳化钒、碳化钽、钴、镍等粉末按配方进行配比；

（3）材料制粉：将材料粉进行湿磨；

（4）粉末干燥：湿磨后的粉末进行低温真空干燥；

（5）加入型剂：把干燥后的粉末按设计比例加入石蜡、植物油脂、硬脂酸等成型剂；

（6）材料挤出：将混合料使用混合挤出机挤出；

（7）材料破碎：将混合料冷却并破碎成可流动颗粒；

（8）注射成型：使用高精密微型注塑机和高精密注塑用模具进行注射成型；

（9）胚料脱脂：将注射成型后的产品坯料放入氢气脱脂炉脱脂；

（10）产品烧结：将脱脂后的产品放入HIP烧结炉烧结。

优选的，所述步骤（1）中材料配方比例为碳：10.04%-16.04%，肽：60.07%-67.07%，镍9.00%-11.00%，钼：7.50%-12.50%，氮：1.60%-5.20%。

优选的，所述步骤（3）中的湿磨具体为将材料粉末可倾斜式球磨机进行湿磨（球磨媒介为无水乙醇和硬质合金球），湿磨时间为48小时。

优选的，所述步骤（6）中的挤出温度为120℃，反复混合挤出3次。

与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：该芯片封装用金属陶瓷立针注射成型工艺，采用金属陶瓷材料，成型后可以将金属覆盖工件表面，提高工件的硬度和致密性，而且降低生产成本，再通过脱脂烧结，提高材料的致密性，然后降低制品的孔隙度，而且使用粘接剂可以使粉末的排布更加均匀，这样可以消除毛坯微观组织上的不均匀，提高工件的理论密度。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1是本发明的工艺流程图。