[发明专利]阵列基板及其制备方法、液晶面板和显示装置

说明书

本申请提供一种阵列基板及其制备方法、液晶面板和显示装置，该阵列基板包括：第一基板、栅极线和数据线、TFT阵列层、色阻层和第一透明导电层；TFT阵列层包括源漏电极、半导体层和栅极，栅极包括第一栅极部分和第二栅极部分，第一栅极部分与栅极线同层且与栅极线相连接，第二栅极部分与数据线同向且与第一栅极部分断开；半导体层位于源漏电极与栅极之间，源漏电极位于半导体层下方；色阻层位于半导体层之上，色阻层上设置有挖空区，用于设置第一栅极部分，第二栅极部分位于色阻层上与数据线对应位置；色阻层上设置有过孔，第一透明导电层通过过孔与源漏电极接触。上述技术方案能够在不损失穿透率的情况下，改善拼接姆拉问题，提高面板性能。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，并且更具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法、液晶面板和显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，面板业超大世代线(generation)体产能释放，出现了例如8.5代线、10代线、10.5代线等高世代线。世代线越高，玻璃基板的尺寸越大，可以切割出来的液晶面板的面积也就越大，相应地，在制备液晶面板过程中使用的光罩(也称掩模版)尺寸也随之增大。

目前在制造大尺寸的液晶面板时，由于光罩的有效曝光面积不足以覆盖整个面板，因此多采用光罩拼接工艺进行制备。具体而言，就是将大尺寸的玻璃基板划分成若干区域，使用光罩依次对各个区域进行曝光，最后拼合成大尺寸的液晶面板。这种工艺在曝光过程会存在光罩拼接区域，而在该区域内会产生显示不均的问题，即拼接姆拉(mura)。

目前可以通过以下方式来改善拼接mura，一种是将光罩拼接区域的遮光层例如黑色矩阵或遮光金属层的宽幅增加，一种是采用马赛克拼接方法，将锐利的拼接线转变为模糊的拼接线，还有一种是将黑色矩阵设置于阵列基板一侧以此遮盖拼接区域。以上几种方式或者在一定程度上降低了液晶显示器的穿透率，或者额外带来了新的显示问题，例如色差、马赛克mura，可靠性问题等。

发明内容

本申请提供一种阵列基板及其制备方法、液晶面板和显示装置，能够在不损失液晶显示器穿透率的情况下，改善拼接姆拉问题，提高面板性能。

第一方面，提供一种阵列基板，包括：第一基板；设置于所述第一基板上的栅极线和数据线；设置于所述第一基板上的薄膜晶体管阵列层、色阻层和第一透明导电层；所述薄膜晶体管阵列层包括源漏电极、半导体层和栅极，所述源漏电极与所述数据线同层，且所述源漏电极与所述数据线相连接，所述栅极包括第一栅极部分和第二栅极部分，所述第一栅极部分与所述栅极线同层，且所述第一栅极部分与所述栅极线相连接，所述第二栅极部分与所述数据线同向，且所述第二栅极部分与所述第一栅极部分断开；所述半导体层位于所述源漏电极与所述栅极之间，所述源漏电极位于所述半导体层靠近所述第一基板一侧；所述色阻层位于所述半导体层之上，所述色阻层在与所述栅极线对应的位置设置有挖空区，所述挖空区用于设置所述第一栅极部分和所述栅极线，所述第二栅极部分位于所述色阻层上与所述数据线对应的位置；所述色阻层上设置有过孔，所述第一透明导电层通过所述过孔与所述源漏电极相接触。

本申请实施例中，“设置于所述第一基板上”可以是直接设置于第一基板上，也可以是间接设置于第一基板上。

本申请实施例中，“所述源漏电极与所述数据线同层”可以理解为源漏电极与数据线处于同一膜层。同理，“第一栅极部分与所述栅极线同层”可以理解为第一栅极部分与栅极线处于同一膜层。

本申请实施例中，“第二栅极部分与第一栅极部分断开”，指的是第二栅极部分与第一栅极部分不相连或不接触，或者第二栅极部分与栅极线不相连。

本申请实施例提供的阵列基板中，将色阻层制备在阵列基板一侧，并采用顶栅结构的薄膜晶体管，其中色阻层位于栅极与源漏电极之间，可以利用栅极遮挡光线。栅极与源漏电极之间的距离相比现有技术中黑色矩阵与源漏电极之间的距离缩短，可以有效将穿透光线和反射式光线遮挡住。这样栅极和黑色矩阵可以设计的宽度较小一些，从而能够在不损失开口率的前提下，解决或改善拼接mura的问题。