[发明专利]一种用于确定高能离子束对玻璃基板刻蚀深度的方法

权利要求书

1.一种用于确定高能离子束对玻璃基板刻蚀深度的方法，其特征在于，具体步骤如下：

步骤（1）、将玻璃基板清洗干净，然后放入镀膜机；

步骤（2）、封闭真空室门，开始抽真空；控制镀膜机内真空室的本底真空度小于1×10^-3Pa；

步骤（3）、采用物理气相沉积方法在玻璃基板上制备第一层介质薄膜，其物理厚度在20-200纳米；然后采用物理气相沉积方法继续镀制第二层二氧化硅膜层，其物理厚度在200-2000纳米，该层二氧化硅膜层折射率与玻璃基板折射率相近；

步骤（4）、待真空室冷却至室温后取出薄膜样品，并使用分光光谱仪对薄膜样品的光学性能进行表征，然后通过光谱反演方法确定第一层介质薄膜和第二层二氧化硅膜层在离子束刻蚀前的物理厚度；

步骤（5）、将薄膜样品清洗干净，然后放入镀膜机；

步骤（6）、封闭真空室门，开始抽真空；控制镀膜机内真空室的本底真空度小于1×10^-3Pa；

步骤（7）、设定高能离子源工作参数，并对制备的薄膜样品进行高能离子束刻蚀处理，直至工作时间结束，停止高能离子束刻蚀；

步骤（8）、待真空室冷却至室温后取出样品，并使用分光光谱仪对刻蚀后薄膜样品的光学性能进行表征，然后通过光谱反演方法确定第一层介质薄膜和第二层二氧化硅膜层在离子束刻蚀后的物理厚度；

步骤（9）、通过比较高能离子束刻蚀前后第二层二氧化硅膜层的物理厚度变化，确定当前工艺参数下高能离子束对玻璃基板的刻蚀深度。

2.根据权利要求1所述的一种用于确定高能离子束对玻璃基板刻蚀深度的方法，其特征在于：所述的玻璃基板材料为熔融石英，包括远紫外石英、紫外石英和红外石英。

3.根据权利要求1所述的一种用于确定高能离子束对玻璃基板刻蚀深度的方法，其特征在于：所述的第一层介质薄膜的材料为氧化物、氟化物、硫化物或者硒化物。

4.根据权利要求1所述的一种用于确定高能离子束对玻璃基板刻蚀深度的方法，其特征在于：所述的第一层介质薄膜和第二层二氧化硅薄膜的物理气相沉积方式是离子辅助沉积、离子束溅射沉积或者磁控溅射沉积技术。

5.根据权利要求1所述的一种用于确定高能离子束对玻璃基板刻蚀深度的方法，其特征在于：所述的高能离子源是考夫曼离子源、霍尔离子源或者等离子体辅助源。