[发明专利]一种三维存储器及制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

形成在衬底上的多层水平导电电极，以及形成在所述水平导电电极之间的隔离介质层；所述水平导电电极之间竖直设有两个多层存储层，两个所述多层存储层的内侧设有竖直导电电极，所述水平导电电极连接两个所述多层存储层的外侧，所述竖直导电电极连接两个所述多层存储层的内侧，所述多层存储层的外侧存储层被所述隔离介质层所隔断。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述多层存储层包括第一磁存储层、隧穿介质层和第二磁存储层，所述水平导电电极连接所述第一磁存储层，所述竖直导电电极连接所述第二磁存储层，所述隔离介质层从外侧将所述第一磁存储层隔断。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述第一磁存储层为磁性自由层或磁性固定层，所述第二磁存储层为磁性固定层或磁性自由层。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述隔离介质层材料包括固体隔离介质或气体隔离介质。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述衬底与所述多层水平导电电极之间设有绝缘介质层。

6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述多层水平导电电极上设有保护介质层，所述保护介质层被所述多层存储层所隔断。

7.一种三维存储器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01：提供一衬底，在所述衬底上交替形成多层水平导电电极和牺牲介质层；

步骤S02：向下形成穿过所述多层水平导电电极和牺牲介质层的沟槽；

步骤S03：沿所述沟槽内壁依次形成第一磁存储层、隧穿介质层和第二磁存储层，构成多层存储层，并在所述第二磁存储层上形成竖直导电电极；

步骤S04：去除所述牺牲介质层；

步骤S05：继续去除与所述牺牲介质层交界处的所述第一磁存储层材料，形成竖直方向上相互隔离的所述多层存储层；

步骤S06：在所述水平导电电极之间填充形成隔离介质层。

8.根据权利要求7所述的三维存储器制造方法，其特征在于，所述第一磁存储层为磁性自由层或磁性固定层，所述第二磁存储层为磁性固定层或磁性自由层。

9.根据权利要求7所述的三维存储器制造方法，其特征在于，步骤S06中，通过在所述水平导电电极之间填充固体隔离介质或气体隔离介质，形成隔离介质层。

10.根据权利要求7所述的三维存储器制造方法，其特征在于，采用化学刻蚀或者远程等离子体刻蚀的方式，去除步骤S04中的所述牺牲介质层和步骤S05中的所述第一磁存储层材料。