[发明专利]设备操作方法和基板处理设备

说明书

一种设备操作方法的示例包括：向反应器室的内部提供气体，以对反应器室的内部中的基板执行处理；以及在将基板装载到反应器室/从反应器室卸载基板期间，不经由反应器室而将等离子体提供给与反应器室连通的排出管线或与排出管线连通的干式泵，以执行排出管线和干式泵中的至少一个的清洁。

技术领域

描述了与设备操作方法和基板处理设备有关的示例。

背景技术

提供给反应器室的气体通过干式泵经由排出管线排出到外部。例如，在引起许多副产物的过程中，在排出管线或干式泵中会产生沉积物。这些沉积物干扰设备的运行，或基于干式泵的保护功能而导致干式泵的锁定。例如，对于罗茨式真空泵，大量的沉积物会导致叶轮旋转不良。

通过经由反应器室从远程等离子体单元向排出管线提供清洁气体，可以抑制排出管线和干式泵被堵塞。然而，由于这种清洁中断了反应器室中的处理，因此这是延迟设备处理的一个因素。也可以说这导致其生产率下降。

发明内容

本文描述的一些示例可以解决上述问题。本文描述的一些示例可以提供能够有效清洁排出系统的设备操作方法和基板处理设备。

在一些示例中，一种设备操作方法包括：向反应器室的内部提供气体，以对反应器室的内部中的基板执行处理；以及在将基板装载到反应器室/从反应器室卸载基板期间，不经由反应器室而将等离子体提供给与反应器室连通的排出管线或与排出管线连通的干式泵，以执行排出管线和干式泵中的至少一个的清洁。

附图说明

图1是示意性表示设备操作方法的图；

图2是表示基板处理设备的示意性配置的图；

图3是表示基板处理设备的另一示意性配置的图；

图4是根据示例的基板处理设备的透视图；

图5是表示基板处理设备的另一示意性配置的图；

图6是示出干式泵的示意性配置的透视图；

图7是示出干式泵的示意性配置的剖视图；以及

图8是示出根据变型例的设备操作方法的图。

具体实施方式

参照附图描述设备操作方法和基板处理设备。相同或相应的部件使用相同的符号，并且有时省略其重复说明。

图1是示意性示出设备操作方法的图。用该示例解释设备如何操作以在反应器室中的基板上执行膜形成。基板例如是晶片。在反应器室中，例如，可以执行物理气相沉积、外延沉积、其他沉积、扩散和蚀刻的过程。首先，在步骤S1中，例如在反应器室内的基座上设置基板。用于装载基板的时间例如为22秒。

接下来，在步骤S2中，在基板上执行处理。该处理是通过等离子体CVD在基板上的示意性膜形成。膜形成(处理)可以通过向反应器室的内部提供气体来执行。可以通过向反应器室提供气体来执行基板的膜的重整、蚀刻等。

接下来，在步骤S3中，卸载基板。用于卸载基板的时间例如为22秒。接下来，在步骤S4中，清洁反应器室的内部。根据示例，通过将用于清洁的等离子体从远程等离子体单元提供给反应器室来清洁反应器室。用于清洁反应器室的时间例如为54秒。

接下来，在步骤S5中，将新基板提供给反应器室。在步骤S6中，在基板上执行处理。在步骤S7中，基板被卸载。