[发明专利]具有物理层接口电路的集成电路在审
申请号: | 202010429015.5 | 申请日: | 2020-05-19 |
公开(公告)号: | CN112073340A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 帕斯卡·卡迈勒·阿布达;亚力克西斯·纳塔内尔·于奥-马尔尚;马蒂厄·阿里保德 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H04L25/02 | 分类号: | H04L25/02;H04L12/40;H04B1/40 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 罗松梅 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 物理层 接口 电路 集成电路 | ||
1.一种在差分网络总线节点(200)中使用的集成电路(202),其特征在于,所述集成电路(202)包括:
收发器(212),所述收发器(212)具有第一收发器输入输出端(214)和第二收发器输入输出端(216);
物理层高端(208),所述物理层高端(208)连接到所述第一收发器输入输出端(214);
物理层低端(210),所述物理层低端(210)连接到所述第二收发器输入输出端(216);以及
物理层接口电路(234),其包括:
第一低频RC匹配电路(236)和第一高频RC匹配电路(240),其各自连接在所述第一收发器输入输出端(214)和第一参考端(238)之间;以及
第二低频RC匹配电路(242)和第二高频RC匹配电路(246),其各自连接在所述第二收发器输入输出端(216)和第二参考端(244)之间。
2.根据权利要求1所述的集成电路(202),其特征在于,还包括焊盘环(226),其中所述物理层接口电路(234)定位在所述焊盘环内。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的集成电路(202),其特征在于:
所述物理层高端(208)通过以下方式连接到所述第一收发器输入输出端(214):
第一接合线(222),所述第一接合线(222)连接在所述物理层高端(208)和第一接合焊盘(218)之间;以及
一个或多个第一导电路径,所述一个或多个第一导电路径连接所述第一接合焊盘(218)、所述第一收发器输入输出端(214)和所述第一RC匹配电路(236、240);以及
所述物理层低端(210)通过以下方式连接到所述第二收发器输入输出端(216):
第二接合线(224),所述第二接合线(224)连接在所述物理层低端(210)和第二接合焊盘(220)之间;以及
一个或多个第二导电路径,所述一个或多个第二导电路径连接所述第二接合焊盘(220)、所述第二收发器输入输出端(216)和所述第二RC匹配电路(242、246)。
4.根据在前的任一项权利要求所述的集成电路(202),其特征在于:
所述第一低频RC匹配电路(236)包括与第一低频电容(250)串联的第一低频电阻(248);
所述第二低频RC匹配电路(242)包括与第二低频电容(254)串联的第二低频电阻(252);
所述第一高频RC匹配电路(240)包括与第一高频电容(258)串联的第一高频电阻(256);以及
所述第二高频RC匹配电路(246)包括与第二高频电容(262)串联的第二高频电阻(260)。
5.根据权利要求4所述的集成电路(202),其特征在于:
所述第一低频电阻(248)和所述第二低频电阻(252)具有在2千欧和200千欧之间的值;
所述第一低频电容(250)和所述第二低频电容(254)具有在1pF与5pF之间的值;
所述第一高频电阻(256)和所述第二高频电阻(260)具有在5欧姆与100欧姆之间的值;且
所述第一高频电容(258)和所述第二高频电容(262)具有在1pF与10pF之间的值。
6.根据在前的任一项权利要求所述的集成电路(202),其特征在于,所述第一低频RC匹配电路(236)与所述第二低频RC匹配电路(242)相同,并且所述第一高频匹配电路(240)与所述第二高频匹配电路(246)相同。
7.根据在前的任一项权利要求所述的集成电路(202),其特征在于,所述物理层端(208、210)被配置成连接到外部共模扼流圈(206)和网络总线。
8.根据权利要求7所述的集成电路(202),其特征在于:
所述共模扼流圈(206)的电感和所述集成电路(202)的电容限定低频谐振;且
所述第一低频电阻(248)、所述第二低频电阻(252)、所述第一低频电容(250)和所述第二低频电容(254)的值是基于所述低频谐振的。
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