[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

衬底，所述衬底上设有凸起结构；

位于所述衬底一侧的散热层，所述散热层包括覆盖所述凸起结构表面的第一散热部、以及形成于相邻所述凸起结构之间的第二散热部，所述第二散热部与相邻所述第一散热部相连，所述散热层背离所述衬底的表面的面积大于所述散热层在所述衬底上的正投影的面积，所述散热层的材料为导电材料；

位于所述散热层背离所述衬底一侧的有源层；

位于所述有源层背离所述衬底一侧的栅电极、第一电极和第二电极；

连接部，所述连接部的一端与所述第一电极或所述栅电极电连接，所述连接部的另一端与所述散热层电连接，所述第一电极用于连接稳定的电信号；

位于所述散热层与所述有源层之间的绝缘层，所述绝缘层包括位于相邻两个所述第一散热部之间的第一绝缘层、及位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述衬底上的正投影覆盖所述衬底；

所述有源层包括第一区、第二区及位于所述第一区与所述第二区之间的有源区，所述有源区在所述衬底上的正投影位于所述第二散热部在所述衬底上的正投影内。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凸起结构的侧壁与水平方向之间的夹角范围为30°～80°；和/或，在所述衬底指向所述散热层的方向上，所述凸起结构的尺寸范围为500nm～2000nm。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述连接部的一端与所述第一电极电连接时，所述连接部在所述衬底上的正投影位于所述凸起结构的顶壁或侧壁；和/或，

所述连接部、所述第一电极及所述第二电极在一次构图工艺中形成。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述散热层的厚度范围为50nm至200nm；和/或，

所述有源层、所述第一电极、所述第二电极及所述栅电极在所述衬底上的投影均落在所述散热层在所述衬底上的投影内。

5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述散热层的材料为不透光材料。

6.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管。

7.一种如权利要求1所述薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法包括：

提供衬底；

在所述衬底的一侧形成散热层，所述散热层背离所述衬底的表面的面积大于所述散热层在所述衬底上的正投影的面积；

在所述散热层背离所述衬底一侧形成有源层；

在所述有源层背离所述衬底一侧形成栅电极、第一电极和第二电极。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述提供衬底，包括：

提供基体层；

在所述基体层上形成多个凹槽，以在所述基体层上形成多个凸起结构；

所述在所述衬底的一侧形成散热层，包括：

同时在所述凸起结构表面形成第一散热部及在相邻所述凸起结构之间形成第二散热部，所述第二散热部与相邻所述第一散热部相连。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述散热层的材料为导电材料，所述薄膜晶体管的制备方法还包括：形成连接部，所述连接部的一端与所述第一电极或所述栅电极电连接，所述连接部的另一端与所述散热层电连接，所述第一电极用于连接稳定的电信号；

所述在所述有源层背离所述衬底一侧形成栅电极、第一电极和第二电极，包括：

在所述有源层背离所述衬底的一侧形成栅电极，所述栅电极与所述有源层绝缘；

在所述有源层背离所述衬底的一侧形成第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第二电极分别与所述有源层电连接；

所述连接部与所述第一电极电连接时，所述形成连接部的步骤、与所述在所述有源层背离所述衬底的一侧形成第一电极和第二电极的步骤同步进行。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述散热层背离所述衬底一侧形成有源层之前，所述薄膜晶体管的制备方法还包括：

在所述散热层背离所述衬底一侧形成位于相邻两个所述第一散热部之间的第一绝缘层；在所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧形成第二绝缘层；

所述有源层形成于所述第二绝缘层背离所述衬底的一侧；所述有源层包括第一区、第二区及位于所述第一区与所述第二区之间的有源区，所述有源区在所述衬底上的正投影位于所述第二散热部在所述衬底上的正投影内；

和/或，

所述散热层的材料为不透光材料。