[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 202010429980.2 | 申请日: | 2020-05-20 |
公开(公告)号: | CN111554750B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 周天民;王利忠;刘凤娟;杨维;黄睿;强朝辉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L23/367;H01L21/48;H01L21/336 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 陈蕾 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板。所述薄膜晶体管包括衬底、位于所述衬底一侧的散热层、位于所述散热层背离所述衬底一侧的有源层、及位于所述有源层背离所述衬底一侧的栅电极、第一电极和第二电极。所述散热层背离所述衬底的表面的面积大于所述散热层在所述衬底上的正投影的面积。所述显示面板包括所述薄膜晶体管。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板。
背景技术
近年来,基于OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)的显示装置因具有自发光、视角广、发光效率高、色域广、工作电压低、面板薄等优点,成为国内外热门的显示产品。
OLED显示装置的驱动方式一般为主动驱动,即显示装置的像素由像素电路驱动。一般像素电路中的开关晶体管采用氧化物半导体晶体管。薄膜晶体管的沟道的宽长比较大时,会导致薄膜晶体管工作时产生的温度更高,对器件的稳定性产生不利影响。
发明内容
根据本申请实施例的第一方面,提供了一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括:
衬底;
位于所述衬底一侧的散热层,所述散热层背离所述衬底的表面的面积大于所述散热层在所述衬底上的正投影的面积;
位于所述散热层背离所述衬底一侧的有源层;
位于所述有源层背离所述衬底一侧的栅电极、第一电极和第二电极。
在一个实施例中,所述衬底上设有凸起结构,所述散热层包括覆盖所述凸起结构表面的第一散热部、以及形成于相邻所述凸起结构之间的第二散热部,所述第二散热部与相邻所述第一散热部相连。
在一个实施例中,所述凸起结构的侧壁与水平方向之间的夹角范围为30°~80°;和/或,在所述衬底指向所述散热层的方向上,所述凸起结构的尺寸范围为500nm~2000nm。
在一个实施例中,所述散热层的材料为导电材料,所述薄膜晶体管还包括连接部,所述连接部的一端与所述第一电极或所述栅电极电连接,所述连接部的另一端与所述散热层电连接,所述第一电极用于连接稳定的电信号。
在一个实施例中,所述薄膜晶体管包括位于所述散热层与所述有源层之间的绝缘层,所述绝缘层包括位于相邻两个所述第一散热部之间的第一绝缘层、及位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层,所述第二绝缘层在所述衬底上的正投影覆盖所述衬底;
所述有源层包括第一区、第二区及位于所述第一区与所述第二区之间的有源区,所述有源区在所述衬底上的正投影位于所述第二散热部在所述衬底上的正投影内。
在一个实施例中,所述连接部的一端与所述第一电极电连接时,所述连接部在所述衬底上的正投影位于所述凸起结构的顶壁或侧壁;和/或,
所述连接部、所述第一电极及所述第二电极在一次构图工艺中形成。
在一个实施例中,所述散热层的厚度范围为50nm至200nm;和/或,
所述有源层、所述第一电极、所述第二电极及所述栅电极在所述衬底上的投影均落在所述散热层在所述衬底上的投影内。
在一个实施例中,所述散热层的材料为不透光材料。
根据本申请实施例的第二方面,提供了一种显示面板,所述显示面板包括上述的薄膜晶体管。
根据本申请实施例的第三方面,提供了一种薄膜晶体管的制备方法,所述薄膜晶体管的制备方法包括:
提供衬底;
在所述衬底的一侧形成散热层,所述散热层背离所述衬底的表面的面积大于所述散热层在所述衬底上的正投影的面积;
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