[发明专利]固晶用有机硅组合物、其固化物及光学半导体装置

说明书

本发明提供一种固晶用有机硅组合物，其给予硬度及芯片剪切强度优异的固化物，且抑制了光学半导体装置中的金属衬垫污染。该固晶用有机硅组合物以特定的掺合比含有：(A)在1分子中含有2个以上的烯基且在25℃下的粘度为100mPa·s以下的有机聚硅氧烷、(B)在23℃下为蜡状或固体的特定的立体网状有机聚硅氧烷、(C)在1分子中至少具有2个与硅原子键合的氢原子的特定的有机氢聚硅氧烷、(D)含有环氧基的特定的聚硅氧烷、及(E)铂族金属类催化剂。

技术领域

本发明涉及一种固晶用有机硅组合物、其固化物及使用了该固化物的光学半导体装置。

背景技术

最近，由于提高LED元件的亮度而导致元件的发热变大，因此作为发光二极管(以下称为“LED”)元件的密封材料及固晶(die bond)材料使用有耐久性良好的有机硅树脂(专利文献1、2)。特别是对于固晶材料而言，若树脂过软，则在固晶工序后进行的引线键合(wire bonding)工序中，会产生无法键合的不良状况，因此要求一种高硬度的固晶材料。

此外，近年来，LED装置的小型化正在不断进展，要求粘合性更高的固晶材料。若固晶材料的粘合力不充分，则会导致在制造LED时的引线键合工序中发生芯片剥离等的在制造方面上的致命问题。以往的有机硅固晶材料虽然耐久性优异，但粘合性并不充分，要求一种具有更高芯片剪切强度的材料。

除了高芯片剪切强度以外，存在对固晶材料进行加热固化时产生的低分子成分污染芯片的金属衬垫(metal pad)的情况，其为导致在引线键合工序中产生不良状况的原因。在有机硅中，为了提高粘合性而使用具有粘合性官能团的硅烷偶联剂，但通常的硅烷偶联剂为低分子量，存在其会成为导致在固晶的固化工序中的热(100～180℃)下挥发、产生空隙或芯片剪切强度下降、污染金属衬垫的原因的问题。即，要求一种在提高芯片剪切强度的同时不会污染金属衬垫的固晶材料。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开第2006-342200号公报

专利文献2：日本特开第2010-285571号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

本发明鉴于上述情况而成，其目的在于提供一种固晶用有机硅组合物，其给予硬度及芯片剪切强度优异的固化物，且抑制了光学半导体装置中的金属衬垫污染。

解决技术问题的技术手段

为了达成上述技术问题，本发明提供一种固晶用有机硅组合物，其含有下述(A)成分～(E)成分：

(A)在1分子中含有2个以上的烯基且在25℃下的粘度为100mPa·s以下的有机聚硅氧烷；

(B)下述式(1)所表示的、在23℃下为蜡状或固体的立体网状有机聚硅氧烷，其相对于(A)成分及(B)成分的合计100质量份为70～95质量份，

(R¹₃SiO_1/2)_a(R²₃SiO_1/2)_b(R²R¹₂SiO_1/2)_c(R²R¹SiO)_d(R¹₂SiO)_e(R²SiO_3/2)_f(R¹SiO_3/2)_g(SiO_4/2)_h (1)