[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面；

绝缘栅极场效应晶体管，设置在所述半导体衬底的第一区域中；以及

缓冲电路，设置在不同于所述第一区域的第二区域中；

其中所述缓冲电路包括由在所述第二区域中的扩散层形成的电阻器和电容器；

其中在平面视图中彼此间隔开的多个第一沟槽被形成在所述第一区域中；

其中在平面视图中彼此间隔开的多个第二沟槽被形成在所述第二区域中；

其中所述多个第一沟槽中的每个第一沟槽具有第一宽度；

其中所述多个第二沟槽中的每个第二沟槽具有第二宽度；并且其中所述第二沟槽中的至少一个第二沟槽的所述第二宽度小于所述多个第一沟槽中的至少一个所述第一沟槽的所述第一宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二沟槽在平面视图中具有0.5微米或大于0.5微米、且小于0.7微米的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中在所述第一区域中形成的所述多个第一沟槽是比在半导体衬底中形成的沟槽栅极电极更深的沟槽。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二区域中形成的所述多个第二沟槽是比在半导体衬底中形成的沟槽栅极电极更深的沟槽。

5.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

提供第一主表面以及与所述第一主表面相对的第二主表面，在半导体衬底的所述第一区域中形成绝缘栅极型场效应晶体管，

在不同于所述第一区域的第二区域中形成具有电阻和电容器的缓冲电路，

在所述第一区域和所述第二区域中，其中所述步骤包括朝向半导体衬底形成多个第一深沟槽和多个第二深沟槽，

其中在所述第二区域中形成的所述多个第二深沟槽中，所述第一深沟槽中的至少一个第一深沟槽的第二宽度小于所述第一深沟槽中的至少一个第一深沟槽的宽度。

6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，

形成所述元件的步骤包括以下步骤：

形成第一导电类型的第一扩散层，所述第一扩散层电连接至半导体衬底，

形成第二导电类型的第二扩散层，

其中在所述第一主表面侧的、比所述第一扩散层浅的位置之上，在所述第一区域中，所述第二导电类型的第二扩散层成为绝缘栅极型场效应晶体管沟道，并且在第二区域中，通过键合至所述第一扩散层，成为所述缓冲电路的所述电阻器、以及电容器。

7.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，

其中所述多个第二深沟槽在平面视图中被形成为具有0.5微米或大于0.5微米、且小于0.7微米的宽度。