[发明专利]光敏传感器及其制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种光敏传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有传感区域，所述传感区域内设置有规则排布的多个传感单元，所述传感单元远离所述基底的一侧设置有屏蔽层，所述屏蔽层覆盖所述传感区域，所述屏蔽层的材料为透明导电材料，所述屏蔽层连接恒压信号端；

所述传感单元包括薄膜晶体管和光敏元件，所述光敏元件包括：与所述薄膜晶体管的源电极或漏电极连接的第一电极、形成在所述第一电极上的光敏层、形成在所述光敏层上的第二电极、以及与所述第二电极连接的第三电极；所述第三电极在所述基底上的正投影覆盖所述光敏层在所述基底上的正投影，所述第三电极用于向所述光敏元件的第二电极提供工作电压；

所述光敏层在所述基底上的正投影覆盖所述第二电极在所述基底上的正投影，所述第二电极的面积小于所述光敏层的面积。

2.根据权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，所述光敏元件的第二电极和第三电极的材料为透明导电材料。

3.根据权利要求2所述的光敏传感器，其特征在于，多个光敏元件的第三电极为相互连接的一体结构。

4.根据权利要求2或3所述的光敏传感器，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：位于所述基底的栅电极、覆盖所述栅电极的第一绝缘层、形成在所述第一绝缘层上的有源层、以及同层设置的源电极和漏电极；所述源电极和漏电极分别与所述有源层连接；

所述光敏元件的第一电极与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极同层设置，且所述光敏元件的第一电极与所述薄膜晶体管的源电极或漏电极为一体结构。

5.根据权利要求4所述的光敏传感器，其特征在于，所述光敏传感器还包括：多条平行排布的传感控制线和多条平行排布的信号读取线，所述传感单元设置在由所述传感控制线和信号读取线交叉形成的子区域内，所述传感单元的薄膜晶体管的栅电极与对应的传感控制线连接，所述薄膜晶体管的源电极或漏电极与对应的信号读取线连接；

所述多个光敏元件的第三电极在所述基底上的正投影与所述传感控制线在所述基底上的正投影部分交叠，并与所述信号读取线在所述基底上的正投影部分交叠。

6.根据权利要求5所述的光敏传感器，其特征在于，所述传感控制线与所述薄膜晶体管的栅电极同层设置，所述传感控制线与对应连接的多个薄膜晶体管的栅电极为一体结构；

所述信号读取线与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极同层设置，所述信号读取线与对应连接的多个薄膜晶体管的源电极或漏电极为一体结构。

7.根据权利要求2所述的光敏传感器，其特征在于，所述第三电极的厚度为700埃。

8.根据权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，所述屏蔽层接地。

9.根据权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，所述屏蔽层的厚度范围为大于或等于400埃。

10.一种光敏传感器的制备方法，其特征在于，包括：

在基底的传感区域内形成规则排布的多个传感单元；

在所述传感单元远离所述基底的一侧形成覆盖所述传感区域的屏蔽层，所述屏蔽层的材料为透明导电材料，且所述屏蔽层连接恒压信号端；

所述在基底的传感区域内形成多个规则排布的传感单元，包括：

在所述基底上形成薄膜晶体管；其中，同步形成薄膜晶体管的源电极、漏电极以及光敏元件的第一电极，且所述光敏元件的第一电极与所述薄膜晶体管的源电极或漏电极连接；

在所述光敏元件的第一电极上形成光敏元件的光敏层；

在所述光敏元件的光敏层上形成光敏元件的第二电极；所述光敏层在所述基底上的正投影覆盖所述第二电极在所述基底上的正投影，所述第二电极的面积小于所述光敏层的面积；

形成与所述第二电极连接的第三电极，所述第三电极向所述光敏元件的第二电极提供工作电压，所述光敏元件的第三电极在所述基底上的正投影覆盖所述光敏元件的光敏层在所述基底上的正投影。