[发明专利]光敏传感器及其制备方法、电子设备有效
申请号: | 202010431731.7 | 申请日: | 2020-05-20 |
公开(公告)号: | CN111564506B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 李士佩;张立震;徐胜;何伟;吴慧利;赵雪飞;贺芳;周毅;赵影;黎午升;姚琪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L23/552;H01L27/144;H01L21/82;H01L27/32 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 蒋冬梅;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光敏 传感器 及其 制备 方法 电子设备 | ||
一种光敏传感器,包括:基底,基底具有传感区域,传感区域内设置有规则排布的多个传感单元,传感单元远离基底的一侧设置有屏蔽层,屏蔽层覆盖传感区域,屏蔽层的材料为透明导电材料,屏蔽层连接恒压信号端。本公开还提供光敏传感器的制备方法及电子设备。
技术领域
本文涉及但不限于显示技术领域,尤指一种光敏传感器及其制备方法、电子设备。
背景技术
随着科技的发展,光敏传感器具有轻便化、广泛应用的发展趋势。目前的光敏传感器可以将薄膜晶体管与光敏元件结合实现。随着全面屏的发展趋势,利用光学传感器的屏下指纹识别技术备受关注。
发明内容
本公开提供了一种光敏传感器及其制备方法、电子设备。
一方面,本公开提供一种基底,所述基底具有传感区域,所述传感区域内设置有规则排布的多个传感单元,所述传感单元远离所述基底的一侧设置有屏蔽层,所述屏蔽层覆盖所述传感区域,所述屏蔽层的材料为透明导电材料,所述屏蔽层连接恒压信号端。
另一方面,本公开提供一种光敏传感器的制备方法,包括:在基底的传感区域内形成规则排布的多个传感单元;在所述传感单元远离所述基底的一侧形成覆盖所述传感区域的屏蔽层,所述屏蔽层的材料为透明导电材料,所述屏蔽层连接恒压信号端。
另一方面,本公开提供一种电子设备,包括如上所述的光敏传感器。
本公开提供的光敏传感器通过设置覆盖传感区域的屏蔽层,可以有效屏蔽外界带来的电磁干扰,从而降低光敏传感器的噪声,提高光敏传感器的性噪比。
本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解,并且构成说明书的一部分,与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案,并不构成对本公开技术方案的限制。
图1为本公开至少一实施例的光敏传感器的结构示意图;
图2为本公开至少一实施例的光敏传感器的平面示意图;
图3为图2中A-A’方向的剖面示意图;
图4为本公开至少一实施例形成薄膜晶体管的栅电极图案后的示意图;
图5为图4中A-A方向的剖面示意图;
图6为本公开至少一实施例形成薄膜晶体管的有源层图案后的示意图;
图7为图6中A-A方向的剖面示意图;
图8为本公开至少一实施例形成薄膜晶体管的源电极和漏电极图案后的示意图;
图9为图8中A-A’方向的剖面示意图;
图10为本公开至少一实施例形成光敏元件的第二电极图案后的示意图;
图11为图10中A-A’方向的剖面示意图;
图12为本公开至少一实施例形成光敏元件的第三电极图案后的示意图;
图13为图12中A-A’方向的剖面示意图;
图14本公开至少一实施例的光敏传感器的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的