[发明专利]一种半导体元件的固晶工艺及半导体元件及电子产品

权利要求书

1.一种半导体元件的固晶工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供载体(100)，提供具有芯片焊接部的铜制载体(100)，并在所述铜制载体(100)上的所述芯片焊接部设置锡材料(300)；

S2、贴片，采用贴片机将芯片(400)黏贴在所述芯片焊接部。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的固晶工艺，其特征在于，所述贴片机采用热贴片机，所述热贴片机的芯片焊接部加热到200至500℃对芯片(400)进行贴片键合。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的固晶工艺，其特征在于，所述贴片机为芯片抓取装置，所述贴片过程中，在所述铜制载体(100)的底部对应所述芯片焊接部的位置进行加热，使所述锡材料(300)的温度达到200至500℃。

4.根据权利要求3所述的半导体元件的固晶工艺，其特征在于，所述铜制载体(100)上设置有凹槽(200)，所述芯片焊接部位于所述凹槽(200)中。

5.根据权利要求4所述的半导体元件的固晶工艺，其特征在于，步骤S1提供载体(100)还包括步骤S11、表面处理，对所述铜制载体(100)表面进行去氧化处理。

6.根据权利要求1所述的半导体元件的固晶工艺，其特征在于，所述锡材料(300)通过电镀液电镀的方式设置在所述芯片焊接部。

7.根据权利要求6所述的半导体元件的固晶工艺，其特征在于，所述电镀液采用甲基磺酸和甲基磺酸锡配置而成。

8.根据权利要求7所述的半导体元件的固晶工艺，其特征在于，所述电镀液中H+离子的含量为120至140g/L,Sn2+离子的含量为12至15g/L，所述电镀液的温度为23至25℃。

9.一种半导体元件，其特征在于，采用权利要求1-8中任一项所述的半导体元件的固晶工艺加工而成。

10.一种电子产品，其特征在于，具有权利要求1-8中任一项所述的半导体元件的固晶工艺加工而成的半导体产品。