[发明专利]一种高散热半导体封装工艺在审
申请号: | 202010432881.X | 申请日: | 2020-05-21 |
公开(公告)号: | CN111640681A | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 王琇如 | 申请(专利权)人: | 杰群电子科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/373 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 523000 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 散热 半导体 封装 工艺 | ||
1.一种高散热半导体封装工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、上芯,提供基板并在所述基板上设置芯片(200),电连接所述芯片(200)与所述基板;
S2、提供封装材料,提供包括绝缘层(310)以及散热层的绝缘散热封装材料(300);
S3、封装,采用上述绝缘散热材料对设置在基板上的芯片(200)进行封装。
2.根据权利要求1所述的高散热半导体封装工艺,其特征在于,所述绝缘层(310)为绝缘胶材料或绝缘散热材料,所述散热层为石墨烯散热层(320)。
3.根据权利要求1或2所述的高散热半导体封装工艺,其特征在于,所述绝缘散热封装材料(300)为将所述散热层与所述绝缘层(310)层压制成。
4.根据权利要求3所述的高散热半导体封装工艺,其特征在于,所述基板为PCB(100),所述芯片(200)采用倒装的方式设置在所述基板上,所述芯片(200)与所述PCB(100)上的电路之间通过锡球(400)电连接。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的高散热半导体封装工艺,其特征在于,所述封装采用层压的方式进行。
6.根据权利要求4所述的高散热半导体封装工艺,其特征在于,所述绝缘胶延伸至所述芯片(200)与所述PCB(100)之间的空间中,并包覆所述锡球(400)。
7.根据权利要求6所述的高散热半导体封装工艺,其特征在于,在所述封装之前还包括步骤电浆清洗。
8.根据权利要求7所述的高散热半导体封装工艺,其特征在于,于所述封装之后还包括固化,所述固化时长为1-3小时。
9.一种半导体产品,其特征在于,采用权利要求1-8中任一项所述的高散热半导体封装工艺进行封装。
10.一种电子产品,其特征在于,具有采用权利要求1-8中任一项所述的高散热半导体封装工艺加工而成的半导体产品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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