[发明专利]使用边缘冲洗的衬底基座

说明书

一种工件基座主体可包含：正面，其配置成支撑工件；背面，其与所述正面相对；工件接触区域，其在所述正面的内部部分上至少部分地形成支撑边界；以及多个轴向通道，其安置在所述基座主体内。所述工件接触区域能够安置成在径向上从以处理配置定位在所述正面上的工件的外边缘朝内。所述多个轴向通道中的每一个能够连接到延伸到所述正面的外部部分中的对应开口。所述开口中的每一个能够安置成在径向上从所述基座主体的所述工件接触区域朝外。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年5月22日提交的标题为“使用边缘冲洗的衬底基座(SUBSTRATESUSCEPTOR USING EDGE PURGING)”的第62/851414号美国临时申请到优先权，其特此以全文引用的方式并入本文中。根据37CFR 1.57，其中外国或本国优先权要求在与本申请一起提交的申请数据表中被识别出的任何和所有申请特此以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开大体上涉及半导体处理，且更具体来说，涉及用于支撑处理室中的半导体衬底的基座。

背景技术

通常在受控工艺条件下进行半导体制造工艺，其中衬底支撑在基座上的反应室内。对于多个工艺，在反应室内加热半导体衬底(例如，晶片)。在处理期间，可能出现与衬底和基座之间的物理相互作用有关的多个质量控制问题。

发明内容

在一些实施例中，提供一种工件基座。所述工件基座主体包括配置成支撑工件的正面和与所述正面相对的背面。所述工件基座还包含工件接触区域，所述工件接触区域至少部分地形成围绕所述正面的内部部分的支撑边界。所述工件接触区域配置成在径向上从以处理配置定位在所述正面上的工件的外边缘朝内安置。所述工件基座还包含安置在所述基座主体内的一个或多个轴向通道。所述轴向通道连接到一个或多个开口，所述一个或多个开口延伸到所述正面的外部部分中。所述开口中的每一个安置成在径向上从所述基座主体的所述工件接触区域朝外。所述工件接触区域所处的高度高于所述面的所述外部部分，以形成在径向上从所述工件接触区域朝外且在轴向上位于所述基座主体的所述面和所述工件之间的间隙。

在一些实施例中，提供一种用于冲洗工件基座的方法。所述方法包括将工件装载到基座主体的正面上的工件接触区域上，使得所述工件的外边缘安置成在径向上从所述工件接触区域朝外。所述方法进一步包含以处理配置定位所述工件，使得所述基座主体的所述正面与反应室流体连通，并且使得所述基座主体的背面与装载室流体连通。所述方法包含在所述反应室内提供第一压力，并且通过以下操作来冲洗所述工件的所述外边缘的背侧：在第二压力下使冲洗气体从所述基座主体内的一个或多个通道流动到在径向上从所述工件接触区域朝外且在轴向上位于基座板的所述正面和所述工件之间的间隙，并使其流动到所述反应室。所述第二压力大于所述第一压力。

附图说明

参考附图，通过以下对本发明的实施例的说明性和非限制性的详细描述，将更好的理解本发明概念的以上以及额外目标、特征和优点。在附图中，除非另外说明，否则相似的参考标号将用于相似的元件。

图1示意性地示出根据一个实施例的半导体处理设备的横截面，其中工件支撑件处于装载位置。

图2示意性地示出根据一个实施例的图1的设备，其中工件支撑件示出为处于处理位置。

图3示出包含支撑背面和正面的底座的示例基座主体。

图4A示出基座主体的一部分的示意性横截面侧视图。

图4B示出具有底座的示例基座主体的透视横截面图。

图4C示出包含轴向冲洗通道的示例基座主体，轴向冲洗通道连接主体的正面与主体的背面。

图5示出示例基座主体的横截面图。

图6示出示例基座主体的横截面的透视图。