[发明专利]衬底转移装置及使用该衬底转移装置的衬底转移方法在审
申请号: | 202010434391.3 | 申请日: | 2020-05-21 |
公开(公告)号: | CN112086392A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 徐宇徹 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 转移 装置 使用 方法 | ||
1.一种衬底转移装置,用于对衬底施加抽吸并且转移所述衬底,所述衬底转移装置包括:
抽吸垫,包括聚甲醛,所述抽吸垫具有带有多个抽吸孔的平坦的抽吸表面;
管道,用于施加抽吸以通过所述抽吸垫的所述抽吸孔吸出空气;以及
控制器,配置成移动所述抽吸垫并控制所述空气的抽吸。
2.根据权利要求1所述的衬底转移装置,其中,所述抽吸垫具有106至109欧姆/平方的表面电阻。
3.根据权利要求1所述的衬底转移装置,其中,所述抽吸垫不包括除所述聚甲醛中的碳成分之外的碳成分。
4.根据权利要求1所述的衬底转移装置,其中,所述抽吸垫配置成大于待转移的所述衬底。
5.根据权利要求4所述的衬底转移装置,其中,所述抽吸垫在配置成对至少两个衬底同时施加抽吸的位置处具有第一抽吸孔组和第二抽吸孔组,所述第一抽吸孔组包括第一多个抽吸孔,所述第二抽吸孔组与所述第一抽吸孔组间隔开并且在所述抽吸表面上具有第二多个抽吸孔。
6.一种衬底转移方法,所述方法包括:
接近步骤,其中,将衬底转移装置的抽吸垫的抽吸表面定位在衬底上方距所述衬底2mm以内;
抽吸步骤,其中,通过施加抽吸以通过形成在所述抽吸表面中的多个抽吸孔吸出所述抽吸表面与所述衬底之间的空气,而将所述衬底附接到所述抽吸表面,其中,所述抽吸表面和所述衬底最初彼此间隔开,并且然后被吸在一起;以及
转移步骤,其中,移动所述抽吸垫。
7.根据权利要求6所述的方法,还包括将所述抽吸表面设置为由聚甲醛形成的平坦表面。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括将所述抽吸垫的表面电阻限制成106至109欧姆/平方。
9.根据权利要求6所述的方法,还包括将所述抽吸垫配置成用于转移柔性衬底。
10.根据权利要求6所述的方法,其中,将所述衬底附接在所述抽吸垫下方,并且在所述衬底附接在所述抽吸垫下方的同时移动所述衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造