[发明专利]一种晶圆研磨前裂片异常的处理方法

权利要求书

1.一种晶圆研磨前裂片异常的处理方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）晶圆碎片定位：将破裂的各晶圆碎片正面朝上放置在定位盘上，定位盘中部设置有定位孔，定位孔与完整晶圆的形状和大小相匹配设置，使得破裂的各晶圆碎片在定位孔中拼装成一个完整的晶圆；

（2）晶圆碎片合框：将各晶圆碎片从定位孔取出，然后将各晶圆碎片背面朝上放置在晶圆合框机的载台上，使得各晶圆碎片拼成一个完整的晶圆，晶圆合框机的载台上放置有外框，确保拼成的晶圆与外框的中心相重合，晶圆合框机在外框、拼装的晶圆背面贴上背面胶膜一，将外框和拼装的晶圆合框固定为一体；

（3）晶圆规则切割：将合框固定的拼装晶圆正面朝上放置在晶圆切割机上，晶圆切割机沿着切割线对面积最大的晶圆碎片进行切割，使得面积最大的晶圆碎片的破裂边缘被切掉，控制切割线与面积最大的晶圆碎片的破裂边缘的间距为1.9~2.1mm；面积最大的晶圆碎片的破裂边缘与晶圆碎片上IC的边缘线相平行时，切割线与面积最大的晶圆碎片的破裂边缘平行；面积最大的晶圆碎片的破裂边缘与晶圆碎片上IC的边缘线相倾斜时，切割线与面积最大的晶圆碎片的破裂边缘平行或者相交；

（4）标记切割线：将合框固定的拼装晶圆从切割机中取出，将背面胶膜一上面积小于最大晶圆碎片的其他晶圆碎片拿走，通过记号笔在背面胶膜一的正反两面均沿着面积最大晶圆碎片的被切割线作出标记线段，然后将面积最大晶圆碎片与外框、背面胶膜一分离并将其放置在定位盘中，保留外框和背面胶膜一；标记线段的左右两端均与背面胶膜一的边缘相交；

（5）假片切割：将面积大小、厚度与晶圆相同的圆形硅片放置在外框的背面胶膜一上，使得外框与硅片的中心相重合，找到背面胶膜一上位于硅片两侧的标记线段，将外框上的硅片正面朝上放置在切割机中，切割机沿着标记线段对硅片进行切割，然后将切割后的硅片从切割机取出，从外框的背面胶膜一上取下可与步骤（4）中面积最大晶圆碎片拼装成整圆的假片；

（6）假片补全：将步骤（5）中的假片放入定位盘中，与面积最大晶圆碎片拼装成完整的假晶圆，通过正面贴膜机在假晶圆上贴上正面胶膜；

（7）假晶圆研磨：通过双手抓住假晶圆，将假晶圆的正面胶膜朝下水平放置在研磨机的研磨台上，研磨轮对假晶圆的背面进行研磨，完成研磨后双手水平抓着假晶圆将其水平取出，对假晶圆进行清洗；研磨机包括三个可沿周向移动的圆形研磨台，三个研磨台沿周向均匀间隔分布设置， 各研磨台的表面均为布满多个吸附孔的陶瓷面，各吸附孔均与抽真空系统相连接，研磨台的外径为12寸，与第一个研磨台相对应地设置有上料机械手，与第三个研磨台相对应地设置有下料机械手，第一个研磨台上方设置有粗磨轮，第二个研磨台上方设置有精磨轮；

（8）研磨后的晶圆碎片合框：将清洗后的假晶圆的正面胶膜撕除，分离假片与面积最大晶圆碎片，将面积最大晶圆碎片背面朝上放置在晶圆合框机的载台上，晶圆合框机的载台上放置有外框，使得面积最大晶圆碎片与外框的中心相重合，晶圆合框机在外框、面积最大晶圆碎片背面贴上背面胶膜二，将外框和面积最大晶圆碎片合框固定为一体；

（9）切割捡晶：将合框固定的面积最大晶圆碎片放入切割机中，使得面积最大晶圆碎片正面朝上，切割机对面积最大晶圆碎片进行切割，将晶圆碎片切割成若干颗IC，通过UV照射机照射背面胶膜二，使得背面胶膜二失去粘性，捡晶机将检验合格的各IC挑拣至tray盘内。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨前裂片异常的处理方法，其特征在于，所述外框的内侧孔呈圆形，晶圆、硅片的外径均小于外框的圆形内侧孔的孔径。

3.根据权利要求1或2所述的一种晶圆研磨前裂片异常的处理方法，其特征在于，所述背面胶膜一和背面胶膜二均为具有粘性的紫外线照射胶带，正面胶膜为具有粘性的蓝膜。

4.根据权利要求1或2所述的一种晶圆研磨前裂片异常的处理方法，其特征在于，所述晶圆的尺寸为8寸或12寸。