[发明专利]一种晶圆研磨前裂片异常的处理方法

说明书

本发明公开了半导体生产制造领域内的一种晶圆研磨前裂片异常的处理方法，包括如下步骤：晶圆碎片定位，将各晶圆碎片从定位孔取出，使得各晶圆碎片拼成一个完整的晶圆，将合框固定的拼装晶圆正面朝上放置，将面积最大的晶圆碎片的破裂边缘切掉，标记切割线后将硅片切割出假片，将假片与面积最大晶圆碎片拼装成假晶圆，假晶圆研磨进行清洗，再分离假片与面积最大晶圆碎片，将面积最大晶圆碎片合框后切割成若干IC。本发明能够针对前制程的晶圆出现破裂现象，导致裂片的晶圆因不完整无法被吸附固定进行研磨的问题进行修复处理，将缺失的晶圆填补全进行固定研磨，挽救裂片的晶圆，减少损失。

技术领域

本发明属于半导体生产制造领域，特别涉及一种晶圆研磨前裂片异常的处理方法。

背景技术

现有技术中，半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。COG则是半导体封装工艺中的一道工序，专注于晶圆的减薄、切割和分类。

晶圆的COG加工过程包括正面贴膜、研磨、撕胶、合框、切割、UV照射、捡晶和包装出货等过程，先在晶圆正面贴上保护膜，然后再将晶圆背面研磨减薄，研磨作业需要将晶圆减薄，晶圆正面的保护胶膜则是很好的一道辅助工序，用于保护晶圆正面，避免正面电路部分的IC被污染；晶圆在作业过程中，在前面的长晶、测试等制程，如果出现故障有可能会造成晶圆破裂，而晶圆的研磨作业是通过真空陶瓷面来吸附晶圆，由磨轮来对晶圆进行研磨，这个时候破裂的晶圆因为结构不完整无法将晶圆可靠地定位在真空陶瓷面上，因为不能进行研磨作业，通常遇到此类破裂的晶圆，因晶圆结构不完整不能执行下一道的制程只能报废，其不足之处在于：整片晶圆报废浪费了较多的原材料，导致前面的加工制程失去意义，没有方法挽救，损失较大。

发明内容

本发明的目的是提供一种晶圆研磨前裂片异常的处理方法，能够针对前制程的晶圆出现破裂现象，导致裂片的晶圆因不完整无法被吸附固定进行研磨的问题进行修复处理， 将缺失的晶圆填补全进行固定研磨，挽救裂片的晶圆，减少损失。

本发明的目的是这样实现的：一种晶圆研磨前裂片异常的处理方法，包括如下步骤：

（1）晶圆碎片定位：将破裂的各晶圆碎片正面朝上放置在定位盘上，定位盘中部设置有定位孔，定位孔与完整晶圆的形状和大小相匹配设置，使得破裂的各晶圆碎片在定位孔中拼装成一个完整的晶圆；

（2）晶圆碎片合框：将各晶圆碎片从定位孔取出，然后将各晶圆碎片背面朝上放置在晶圆合框机的载台上，使得各晶圆碎片拼成一个完整的晶圆，晶圆合框机的载台上放置有外框，确保拼成的晶圆与外框的中心相重合，晶圆合框机在外框、拼装的晶圆背面贴上背面胶膜一，将外框和拼装的晶圆合框固定为一体；

（3）晶圆规则切割：将合框固定的拼装晶圆正面朝上放置在晶圆切割机上，晶圆切割机沿着切割线对面积最大的晶圆碎片进行切割，使得面积最大的晶圆碎片的破裂边缘被切掉，控制切割线与面积最大的晶圆碎片的破裂边缘的间距为1.9~2.1mm；

（4）标记切割线：将合框固定的拼装晶圆从切割机中取出，将背面胶膜一上面积小于最大晶圆碎片的其他晶圆碎片拿走，通过记号笔在背面胶膜一的正反两面均沿着面积最大晶圆碎片的被切割线作出标记线段，然后将面积最大晶圆碎片与外框、背面胶膜一分离并将其放置在定位盘中，保留外框和背面胶膜一；

（5）假片切割：将面积大小、厚度与晶圆相同的圆形硅片放置在外框的背面胶膜一上，使得外框与硅片的中心相重合，找到背面胶膜一上位于硅片两侧的标记线段，将外框上的硅片正面朝上放置在切割机中，切割机沿着标记线段对硅片进行切割，然后将切割后的硅片从切割机取出，从外框的背面胶膜一上取下可与步骤（4）中面积最大晶圆碎片拼装成整圆的假片；

（6）假片补全：将步骤（5）中的假片放入定位盘中，与面积最大晶圆碎片拼装成完整的假晶圆，通过正面贴膜机在假晶圆上贴上正面胶膜；