[发明专利]半导体存储器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体存储器结构，包括：

一基底；

一漏极应力源，具有一应变部，设置在该基底中；

一源极应力源，具有一应变部，设置在该基底中；以及

一栅极结构，设置在该基底中，并位在该漏极应力源与该源极应力源。

2.如权利要求1所述的半导体存储器结构，其中该基底包含硅锗，而该漏极应力源与该源极应力源包含硅。

3.如权利要求1所述的半导体存储器结构，还包括一位元线，连接该漏极应力源。

4.如权利要求3所述的半导体存储器结构，还包括一位元线接触点，设置在该漏极应力源与该位元线之间。

5.如权利要求1所述的半导体存储器结构，还包括一存储电容，连接该源极应力源。

6.如权利要求5所述的半导体存储器结构，还包括一存储节点接触点，设置在该存储电容与该源极应力源之间。

7.如权利要求1所述的半导体存储器结构，其中该漏极应力源包括一第一漏极层、一第二漏极层以及一第三漏极层，而该源极应力源包括一第一源极层、一第二源极层以及一第三源极层。

8.如权利要求1所述的半导体存储器结构，其中该栅极结构包括一栅极电极、一栅极介电层以及一栅极密封物。

9.如权利要求1所述的半导体存储器结构，还包括一浅沟隔离。

10.一种半导体存储器结构的制备方法，包括：

提供一基底；

在该基底中形成一栅极沟槽；

在该栅极沟槽中形成一栅极结构；

在该基底中形成一漏极凹处以及一源极凹处，其中该栅极沟槽位在该漏极凹处与该源极凹处之间；以及

在该漏极凹处与该源极凹处分别形成一漏极应力源与一源极应力源。

11.如权利要求10所述的半导体存储器结构的制备方法，其中形成该栅极结构的步骤包括：

在该栅极沟槽中形成一栅极介电层；

在该栅极沟槽中与该栅极介电层上形成一栅极电极；以及

在该栅极电极上形成一栅极密封物。

12.如权利要求10所述的半导体存储器结构的制备方法，其中在该基底中形成该栅极沟槽的步骤包括能选择的蚀刻。

13.如权利要求10所述的半导体存储器结构的制备方法，其中形成该漏极应力源与该源极应力源的步骤包括：

形成一第一含硅层；

形成一第二含硅层；以及

形成一第三含硅层。

14.如权利要求13所述的半导体存储器结构的制备方法，其中该基底包含硅锗。

15.如权利要求10所述的半导体存储器结构的制备方法，其中形成该漏极凹处与该源极凹处的步骤包括能选择的蚀刻。

16.如权利要求10所述的半导体存储器结构的制备方法，还包括一步骤，该步骤为在该漏极应力源上形成一位元线接触点。

17.如权利要求16所述的半导体存储器结构的制备方法，还包括一步骤，该步骤为形成一位元线，该位元线经由该位元线接触点连接该漏极应力源。

18.如权利要求10所述的半导体存储器结构的制备方法，还包括一步骤，该步骤为在该源极应力源上形成一存储节点接触点。

19.如权利要求18所述的半导体存储器结构的制备方法，还包括一步骤，该步骤为形成一存储电容，该存储电容经由该存储节点接触点连接该源极应力源。

20.如权利要求10所述的半导体存储器结构的制备方法，还包括一步骤，该步骤为在该基底中形成一浅沟隔离。