[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底上具有栅极结构，所述栅极结构包括：栅极层和位于部分栅极层表面的保护层；

位于所述栅极结构两侧的第一侧墙和第二侧墙，所述第二侧墙位于所述第一侧墙上，所述第二侧墙的材料和所述保护层的材料不同；

位于所述基底上的介质层，所述介质层的材料和第二侧墙的材料不同。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙的材料和第二侧墙的材料不同。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙的材料包括：低K介质材料。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二侧墙的材料包括：氮化铝。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的顶部表面齐平于所述介质层的顶部表面。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极层的材料包括：铜、钨、铝、钛、镍、氮化钛和氮化钽中的一种或多种组合。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二侧墙的厚度范围为3纳米至10纳米。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二侧墙和第一侧墙的高度比例关系范围为1:5至1:1。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二侧墙的底部表面低于所述栅极层的顶部表面。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述栅极结构、第一侧墙和第二侧墙两侧基底内的源漏掺杂区；位于所述源漏掺杂区上的导电结构，所述第二侧墙的底部表面低于所述导电结构的顶部表面；所述介质层内具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出导电结构的部分顶部表面，所述第二开口暴露出所述栅极层的部分顶部表面。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构还包括：位于栅极层底部和侧壁表面的栅介质层。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层的材料包括：高K介质材料。

14.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括衬底和位于衬底表面的鳍部，所述栅极结构横跨所述鳍部，且所述栅极结构位于所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面。

15.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成伪栅极结构和介质层，所述伪栅极结构的侧壁表面具有初始侧墙，所述伪栅极结构和初始侧墙两侧的基底内具有源漏掺杂区，所述介质层位于伪栅极结构表面和源漏掺杂区表面；

去除部分所述初始侧墙，在所述介质层内形成凹槽，使所述初始侧墙形成第一侧墙，且所述凹槽暴露出所述第一侧墙顶部表面；

在所述凹槽内形成第二侧墙，所述第二侧墙的材料和所述介质层的材料不同；

形成所述第二侧墙之后，去除所述伪栅极结构，在所述介质层内形成伪栅开口；

在所述伪栅开口内形成栅极结构，所述栅极结构包括：栅极层和和位于栅极层表面的保护层，且所述保护层的材料和第二侧墙的材料不同，所述保护层和所述介质层的材料不同。

16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙的材料和第一侧墙的材料不同。