[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底上具有栅极结构，所述栅极结构包括：栅极层和位于部分栅极层表面的保护层；位于所述栅极结构两侧的第一侧墙和第二侧墙，所述第二侧墙位于所述第一侧墙上，所述第二侧墙的材料和所述保护层的材料不同；位于所述基底上的介质层，且所述介质层的材料和第二侧墙的材料不同。所述半导体结构的性能较好。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展，例如以闪存作为数码相机、笔记本电脑或平板电脑等电子设备中的存储器件。因此，降低闪存单元的尺寸，并以此降低闪存存储器的成本是技术发展的方向之一。对于所述或非门电擦除隧穿氧化层闪存存储器来说，能够采用自对准电接触(Self-Align Contact)工艺制作源区和漏区表面的导电结构，以此能够满足制作更小尺寸的闪存存储器的需求。

然而，即使采用自对准电接触工艺制作源区或漏区表面的导电结构，所形成的半导体结构的性能仍有待提升。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提供形成的半导体结构的性能。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底上具有栅极结构，所述栅极结构包括：栅极层和位于部分栅极层表面的保护层；位于所述栅极结构两侧的第一侧墙和第二侧墙，所述第二侧墙位于所述第一侧墙上，所述第二侧墙的材料和所述保护层的材料不同；位于所述基底上的介质层，且所述介质层的材料和第二侧墙的材料不同。

可选的，所述第一侧墙的材料和第二侧墙的材料不同。

可选的，所述第一侧墙的材料包括：低K介质材料。

可选的，所述第二侧墙的材料包括：氮化铝。

可选的，所述保护层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

可选的，所述保护层的顶部表面齐平于所述介质层的顶部表面。

可选的，所述栅极层的材料包括：铜、钨、铝、钛、镍、氮化钛和氮化钽中的一种或多种组合。

可选的，所述第二侧墙的厚度范围为3纳米至10纳米。

可选的，所述第二侧墙和第一侧墙的高度比例关系范围为1:5至1:1。

可选的，所述第二侧墙的底部表面低于所述栅极层的顶部表面。

可选的，还包括：位于所述栅极结构、第一侧墙和第二侧墙两侧基底内的源漏掺杂区；位于所述源漏掺杂区上的导电结构，所述第二侧墙的底部表面低于所述导电结构的顶部表面；所述介质层内具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出导电结构的部分顶部表面，所述第二开口暴露出所述栅极层的部分顶部表面。

可选的，所述栅极结构还包括：位于栅极层底部和侧壁表面的栅介质层。

可选的，所述栅介质层的材料包括：高K介质材料。

可选的，所述基底包括衬底和位于衬底表面的鳍部，所述栅极结构横跨所述鳍部，且所述栅极结构位于所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面。