[发明专利]半导体结构及其制造参数的确定方法有效
申请号: | 202010437632.X | 申请日: | 2020-05-21 |
公开(公告)号: | CN111584492B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 陈琳 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11521 | 分类号: | H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 高洁;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 制造 参数 确定 方法 | ||
1.一种半导体结构制造参数的确定方法,其特征在于,所述方法包括:
检测第一半导体结构对应的第一参数;所述第一半导体结构至少包括第一堆叠结构;所述第一堆叠结构包括若干层间隔排列的第一栅极;对所述第一堆叠结构进行刻蚀,以在所述若干层间隔排列的第一栅极上形成第一台阶区域;所述第一台阶区域设置有第一接触区域;所述第一参数表征多个第一接触区域中每个第一接触区域在相应第一台阶区域的位置;
基于检测的第一参数,调整第二参数,以使第二半导体结构中每个第二接触区域的周围存在厚度满足第一预设厚度条件的第二栅极;所述第二半导体结构至少包括第二堆叠结构;所述第二堆叠结构包括若干层间隔排列的第二栅极;对所述第二堆叠结构进行刻蚀,以在所述若干层间隔排列的第二栅极上形成第二台阶区域;所述第二参数表征用于对所述第二堆叠结构进行刻蚀形成所述第二台阶区域的掩膜层的刻蚀参数。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一参数包括所述第一接触区域周围的第一栅极的厚度;
所述基于检测的第一参数,调整第二参数,包括:
将所述第一接触区域周围的第一栅极的厚度与第一预设厚度作差;
根据作差结果,确定半导体结构制造中相应台阶区域的尺寸;
根据所述相应台阶区域的尺寸,确定半导体结构制造中对相应掩膜层进行刻蚀的刻蚀参数。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述相应台阶区域的尺寸,确定半导体结构制造中对相应掩膜层进行刻蚀的刻蚀参数,包括:
根据所述相应台阶区域的尺寸,确定半导体结构制造中对相应掩膜层进行刻蚀的尺寸;
根据所述半导体结构制造中对相应掩膜层进行刻蚀的尺寸,确定半导体结构制造中对相应掩膜层进行刻蚀的时长。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述检测第一半导体结构对应的第一参数,包括:
通过电子扫描电子显微镜SEM,结合图像处理算法,检测所述多个第一接触区域中每个第一接触区域在相应第一台阶区域的位置。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在利用SEM对所述第一半导体结构进行检之前,所述方法还包括:
对所述第一半导体结构进行切片处理。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,不同层的第二栅极上相应的第二台阶区域的尺寸不完全相同。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述掩膜层的材料包括光刻胶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的