[发明专利]一种避免二次芯片蚀刻的蚀刻机在审
申请号: | 202010439791.3 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN111564395A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 李伟明 | 申请(专利权)人: | 广州冰钫商贸有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510000 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 避免 二次 芯片 蚀刻 | ||
1.一种避免二次芯片蚀刻的蚀刻机,其结构包括底座(1)、控制板(2)、蚀刻箱(3)、防护布(4)、柜门(5)、观察窗(6),所述观察窗(6)嵌固连接在柜门(5)正前方,所述柜门(5)活动卡合在蚀刻箱(3)前方,所述控制板(2)螺栓连接在底座(1)前上方位置,所述防护布(4)铆合连接在蚀刻箱(3)外部,其特征在于:所述蚀刻箱(3)嵌固连接在底座(1)顶端;
所述蚀刻箱(3)主要包括调节装置(a1)、固定块(a2)、导杆(a3)、滑块(a4)、导管(a5),所述调节装置(a1)嵌固连接在蚀刻箱(3)内部最下方,所述导杆(a3)螺栓连接在蚀刻箱(3)内部中段处,所述滑块(a4)间隙配合安装在导杆(a3)外部,所述固定块(a2)铆合连接调节装置(a1)上方,所述导管(a5)电连接在导杆(a3)后方。
2.根据权利要求1所述的一种避免二次芯片蚀刻的蚀刻机,其特征在于:所述调节装置(a1)主要包括底板(a11)、结合板(a12)、接触片(a13),所述接触片(a13)活动卡合在结合板(a12)上方,所述底板(a11)嵌固连接在结合板(a12)底部位置。
3.根据权利要求2所述的一种避免二次芯片蚀刻的蚀刻机,其特征在于:所述结合板(a12)主要包括驱动器(b 1)、缓冲机构(b2)、连接板(b3)、衔接块(b4),所述驱动器(b 1)嵌套连接在底板(a11)两侧,所述缓冲机构(b2)配合连接板(b3)过盈连接在驱动器(b 1)上方,所述衔接块(b4)嵌固连接在驱动器(b 1)侧上方,所述驱动器(b 1)上方铆合连接有接触片(a13)。
4.根据权利要求3所述的一种避免二次芯片蚀刻的蚀刻机,其特征在于:所述缓冲机构(b2)主要包括套体(b21)、拨动器(b22)、刺柱(b23)、辅助块(b24)、联合片(b25)、弹条(b26)、滑杆(b27)、支撑杆(b28),所述套体(b21)内部设有拨动器(b22),所述刺柱(b23)嵌固连接在联合片(b25)下方,所述辅助块(b24)通过弹条(b26)与支撑杆(b28)相连接,所述滑杆(b27)活动卡合在辅助块(b24)两侧,所述滑杆(b27)间隙配合安装在套体(b21)内壁。
5.根据权利要求4所述的一种避免二次芯片蚀刻的蚀刻机,其特征在于:所述拨动器(b22)主要包括固定板(b221)、半球(b222)、角块(b223),所述角块(b223)配合半球(b222)与套体(b21)相连接,所述半球(b222)嵌套连接在固定板(b221)内部,所述固定板(b221)贴合与套体(b21)侧方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造