[发明专利]晶片键合装置在审
申请号: | 202010440382.5 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN111987014A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 金会哲;金石镐;金兑泳;罗勋奏;全炯俊 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 翟然 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 装置 | ||
1.一种晶片键合装置,包括:
下支撑板,配置为在所述下支撑板的上表面上结构地支撑第一晶片;
与所述下支撑板相邻的下结构,所述下结构在垂直于所述下支撑板的所述上表面的垂直方向上可移动;
上支撑板,配置为在所述上支撑板的下表面上结构地支撑第二晶片;以及
与所述上支撑板相邻的上结构,所述上结构在所述垂直方向上可移动。
2.根据权利要求1所述的晶片键合装置,其中所述下结构配置为在所述第一晶片设置在所述下支撑板的所述上表面上之后在所述垂直方向上朝向所述上结构移动。
3.根据权利要求2所述的晶片键合装置,其中所述下结构配置为在所述垂直方向上朝向所述上结构移动,使得所述下结构的一个侧表面的至少一部分与所述第一晶片的一个侧表面接触。
4.根据权利要求2所述的晶片键合装置,其中所述下结构配置为在所述垂直方向上朝向所述上结构移动,从而使所述下结构的上表面与所述第一晶片的上表面共平面。
5.根据权利要求1所述的晶片键合装置,其中所述上结构配置为在所述第二晶片被附接到所述上支撑板的所述下表面之后在所述垂直方向上朝向所述下结构移动。
6.根据权利要求5所述的晶片键合装置,其中所述上结构配置为在所述垂直方向上朝向所述下结构移动,使得所述上结构的一个侧表面的至少一部分与所述第二晶片的一个侧表面接触。
7.根据权利要求5所述的晶片键合装置,其中所述上结构配置为在所述垂直方向上朝向所述下结构移动,从而使所述上结构的下表面与所述第二晶片的下表面共平面。
8.根据权利要求1所述的晶片键合装置,其中所述下结构配置为在完成了将所述第一晶片和所述第二晶片彼此键合之后在所述垂直方向上远离所述上结构移动。
9.根据权利要求1所述的晶片键合装置,其中所述上结构配置为在完成了将所述第一晶片和所述第二晶片彼此键合之后在所述垂直方向上远离所述下结构移动。
10.一种晶片键合装置,包括:
下支撑板,配置为在所述下支撑板的上表面上结构地支撑第一晶片;
与所述下支撑板相邻的下结构;
上支撑板,配置为在所述上支撑板的下表面上结构地支撑第二晶片;
与所述上支撑板相邻的上结构;以及
控制器,配置为调节所述下结构和所述上结构之间的间隔。
11.根据权利要求10所述的晶片键合装置,其中在基于使所述下支撑板和所述上支撑板中的至少一个在与所述下支撑板的所述上表面平行的横向方向上移动以使所述第一晶片和所述第二晶片的各自的中央部分在垂直于所述下支撑板的所述上表面的垂直方向上对准来将所述下支撑板和所述上支撑板布置用于键合所述第一晶片和所述第二晶片之后,所述控制器配置为移动所述下结构和所述上结构,使得所述下结构的上表面和所述上结构的下表面之间的间隔变窄。
12.根据权利要求11所述的晶片键合装置,其中所述控制器配置为使所述下结构在所述垂直方向上朝向所述上结构移动,使得所述下结构的一个侧表面的至少一部分与所述第一晶片的一个侧表面接触。
13.根据权利要求11所述的晶片键合装置,其中所述控制器配置为使所述下结构在所述垂直方向上朝向所述上结构移动,使得所述下结构的所述上表面与所述第一晶片的上表面共平面。
14.根据权利要求11所述的晶片键合装置,其中所述控制器配置为使所述上结构在所述垂直方向上朝向所述下结构移动,使得所述上结构的一个侧表面的至少一部分与所述第二晶片的一个侧表面接触。
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