[发明专利]存储器的形成方法及存储器

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有位线结构以及位于所述位线结构顶部表面的第一保护层；

形成介质层填充相邻所述位线结构之间的间隙，所述介质层的顶部表面与所述第一保护层顶部表面齐平；

形成第二保护层覆盖所述第一保护层顶部表面和所述介质层的顶部表面；

在垂直于所述位线结构延伸的方向上，去除部分所述介质层以及部分所述第二保护层，形成电容接触孔，且在垂直于所述位线结构延伸的方向上，暴露出位于相邻所述电容接触孔之间的所述第一保护层；

形成导电层填充所述电容接触孔并覆盖被暴露出的所述第一保护层的顶部表面，且所述导电层顶部表面与所述第二保护层顶部表面齐平；

刻蚀部分所述导电层形成分立的电容接触结构。

2.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述刻蚀部分所述导电层形成分立的电容接触结构，包括：

在所述导电层以及所述第二保护层的顶部表面形成接触掩膜层；

所述接触掩膜层于预设方向上暴露出预设宽度的所述导电层以及所述第二保护层，且于垂直于所述预设方向上，所述接触掩膜层与被暴露出的所述导电层以及所述第二保护层交替排布；所述预设方向与所述位线结构延伸的方向夹角为α，α大于0°且α不等于90°

刻蚀被暴露出的所述导电层，直至暴露出部分所述第一保护层的顶部表面；

去除所述接触掩膜层，剩余所述导电层作为所述电容接触结构。

3.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述基底上形成有位线结构以及位于所述位线结构顶部表面的第一保护层，包括：

在所述基底上形成位线叠层，在所述位线叠层顶部形成第一保护膜；

在所述第一保护膜顶部表面形成已图案化的位线掩膜层，以所述位线掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一保护膜以及所述位线叠层，形成所述位线结构以及位于所述位线结构顶部表面的第一保护层；

去除所述位线掩膜层。

4.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述在垂直于所述位线结构延伸的方向上，去除部分所述介质层以及部分所述第二保护层，形成电容接触孔，包括：

在所述第二保护层顶部表面形成介质掩膜层；

以所述介质掩膜层为掩膜，在垂直于所述位线结构延伸的方向上，刻蚀部分所述第二保护层直至暴露出部分所述第一保护层以及部分所述介质层的顶部表面；

去除被暴露出的部分所述介质层，形成所述电容接触孔。

5.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述电容接触孔之后，且在形成所述导电层填充所述电容接触孔之前，包括：

在所述基底上形成隔离膜，所述隔离膜覆盖所述第二保护层和被暴露出的所述第一保护层，以及所述电容接触孔侧壁和底部；

去除位于所述第二保护层顶部表面、被暴露出的所述第一保护层顶部表面以及所述电容接触孔底部的所述隔离膜，形成位于所述电容接触孔侧壁的隔离层。

6.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层的材料不相同，且所述第二导电层顶部表面与所述第二保护层顶部表面齐平，且于所述垂直于所述位线结构延伸的方向上，所述第二导电层还覆盖所述第一保护层的顶部表面。

7.根据权利要求6所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述形成导电层填充所述电容接触孔，包括：

在所述电容接触孔中形成所述第一导电层，所述第一导电层顶部表面低于所述第一保护层顶部表面；

在所述第一导电层顶部表面、所述第一保护层顶部表面以及所述第二保护层顶部表面形成顶部导电膜；

刻蚀所述顶部导电膜，形成所述第二导电层。