[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制备方法，包括：

提供一基底；

在该基底上方形成一生长基膜；

在该生长基膜中形成多个掺杂段以及多个未掺杂段；

在所述多个未掺杂段上选择地形成多个隔离段；

移除所述多个掺杂段；以及

在该基底上方形成多个电容结构。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中所述多个掺杂段与所述多个未掺杂段在该生长基膜中的形成，包括以一光刻胶层与一遮罩图案化该生长基膜、从该生长基膜上方进行植入，以及移除该光刻胶层。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该基底由硅、掺杂硅、硅锗、绝缘体上覆硅、蓝宝石上覆硅、绝缘体上覆硅锗、碳化硅、锗、砷化镓、磷化镓、磷砷化镓、磷化铟、或磷化铟镓所制。

4.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该生长基膜由一隔离材料所制，该隔离材料不含氮。

5.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该生长基膜由氧化硅、未掺杂硅玻璃、硼二氧化硅玻璃、磷硅酸盐玻璃、或硼磷硅酸盐玻璃所制。

6.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中所述多个隔离段由化学气相沉积所形成，该化学气相沉积存在有臭氧与四乙氧基硅烷。

7.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中所述多个掺杂段包含氮。

8.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中所述多个电容结构中的每一个包括一底电极、一电容隔离层以及一顶电极。

9.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，还包括在提供该基底之后，在该基底中形成多个隔离结构。

10.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，还包括在该基底上方形成多个位元线接触点。

11.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，还包括在该基底上方形成多个位元线。

12.如权利要求8所述的半导体元件的制备方法，其中该电容隔离层由锶钛酸钡、锆钛酸铅、氧化钛、氧化铝、氧化铪、氧化钇、或氧化锆所制。

13.如权利要求8所述的半导体元件的制备方法，其中所述电容隔离层由多层所形成，该多层包含氧化硅层、氮化硅层以及氧化硅层。

14.如权利要求8所述的半导体元件的制备方法，其中该底电极由掺杂多晶硅、金属硅化物、铜或钨所制。

15.如权利要求8所述的半导体元件的制备方法，其中该顶电极由掺杂多晶硅、铜或铝所制。

16.如权利要求9所述的半导体元件的制备方法，其中所述多个隔离结构由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化氮化硅或掺氟硅酸盐所制。

17.如权利要求10所述的半导体元件的制备方法，其中所述多个位元线接触点由铝、铜、钨、钴，或其组合所制。

18.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，其中所述多个位元线由铝或铜所制。

19.一种半导体元件，包括：

一基底；

多个未掺杂段，设置在该基底上方；

多个隔离段，对应地且选择地设置在所述多个未掺杂段上；以及

多个电容结构，设置在所述多个隔离段的相邻对之间。

20.如权利要求19所述的半导体元件，其中所述多个未掺杂段由氧化硅、未掺杂硅玻璃、硼二氧化硅玻璃、磷硅酸盐玻璃、或硼磷硅酸盐玻璃所制。