[发明专利]半导体元件及其制备方法

说明书

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该制备方法包括：提供一基底；在该基底上方形成一生长基膜；在该生长基膜中形成多个掺杂段以及多个未掺杂段；在所述多个未掺杂段上选择地形成多个隔离段；移除所述多个掺杂段；以及在该基底上方形成多个电容结构。

技术领域

本公开主张2019/07/29申请的美国正式申请案第16/524,811号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开涉及一种半导体元件及其制备方法。特别涉及一种具有选择地形成多个隔离段的半导体元件及其制备方法。

背景技术

半导体元件是使用在不同的电子应用中，例如个人电脑、移动电话、数码相机，以及其他电子设备。半导体元件的尺寸持续地等比例缩小，以符合运算力(computingability)的需求。然而，许多的问题的变异是出现在等比例缩小制程期间，并影响其最终电子特性、品质以及良率。因此，在达到改善品质、良率以及可靠度上仍具有挑战性。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种半导体元件制备方法，包括：提供一基底；在该基底上方形成一生长基膜；在该生长基膜中形成多个掺杂区以及多个未掺杂区；在所述多个未掺杂区上选择地形成多个隔离段；移除所述多个掺杂段；以及在该基底上方形成多个电容结构。

在一些实施例中，所述多个掺杂段与所述多个未掺杂段在该生长基膜中的形成，包括以一光刻胶层与一遮罩图案化该生长基膜、从该生长基膜上方进行植入，以及移除该光刻胶层。

在一些实施例中，该基底由硅、掺杂硅、硅锗、绝缘体上覆硅、蓝宝石上覆硅、绝缘体上覆硅锗、碳化硅、锗、砷化镓、磷化镓、磷砷化镓、磷化铟、或磷化铟镓所制。

在一些实施例中，该生长基膜由一隔离材料所制，该隔离材料不含氮。

在一些实施例中，该生长基膜由氧化硅、未掺杂硅玻璃、硼二氧化硅玻璃、磷硅酸盐玻璃、或硼磷硅酸盐玻璃所制。

在一些实施例中，所述多个隔离段由化学气相沉积所形成，该化学气相沉积存在有臭氧与四乙氧基硅烷。

在一些实施例中，所述多个掺杂段包含氮。

在一些实施例中，所述多个电容结构中的每一个包括一底电极、一电容隔离层以及一顶电极。

在一些实施例中，所述的半导体元件的制备方法，还包括在提供该基底之后，在该基底中形成多个隔离结构。

在一些实施例中，所述的半导体元件的制备方法，还包括在该基底上方形成多个位元线接触点。

在一些实施例中，所述的半导体元件的制备方法，还包括在该基底上方形成多个位元线。

在一些实施例中，该电容隔离层由锶钛酸钡、锆钛酸铅、氧化钛、氧化铝、氧化铪、氧化钇、或氧化锆所制。

在一些实施例中，所述多个电容隔离层由多层所形成，该多层包含氧化硅层、氮化硅层以及氧化硅层。

在一些实施例中，该底电极由掺杂多晶硅、金属硅化物、铜或钨所制。

在一些实施例中，该顶电极由掺杂多晶硅、铜或铝所制。

在一些实施例中，所述多个隔离结构由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化氮化硅或掺氟硅酸盐所制。

在一些实施例中，所述多个位元线接触点由铝、铜、钨、钴，或其组合所制。

在一些实施例中，所述多个位元线由铝或铜所制。