[发明专利]一种提升高压可靠性的ESD电路

权利要求书

1.一种提升高压可靠性的ESD电路，其特征在于，包括：

包括耐高压提升的结构、分压结构、低压保护结构和集成功率管单元；

所述耐高压提升的结构位于输入端HV_VDD与分压结构输入端之间；

所述分压结构位于耐高压提升的结构与地输入端HV_GND之间；

所述低压保护结构位于集成功率管单元与地输入端HV_GND之间；

所述集成功率管单元位于输入端HV_VDD与地输入端HV_GND之间。

2.如权利要求1所述的一种提升高压可靠性的ESD电路，其特征在于，所述耐高压提升的结构包括高压二极管D1和高压二极管D2串联组成，所述高压二极管D1阳极与输入端HV_VDD连接，阴极与高压二极管D2的阴极连接，所述高压二极管D1和高压二极管D2在版图结构中可以共享N型区域。

3.如权利要求2所述的一种提升高压可靠性的ESD电路，其特征在于，所述分压结构包括串联的分压电阻R1和分压电阻R2。

4.如权利要求3所述的一种提升高压可靠性的ESD电路，其特征在于，所述低压保护结构包括限流保护电阻R3和低压二极管D3组成，对集成功率管单元超过其击穿电压的栅极电压进行保护。

5.如权利要求4所述的一种提升高压可靠性的ESD电路，其特征在于，所述集成功率管单元为高功率NMOS管，当电源ESD输入电压高于保护电压时用于泄放ESD电流。