[发明专利]铁改性的自组装花球结构的钴铁氧化物及其制备与应用有效
申请号: | 202010442728.5 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN111634954B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 韩晓鹏;刘培远;田千秋;胡文彬 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C25B11/091 | 分类号: | C25B11/091;C25B1/04;C25D9/04;H01M4/90;H01M12/06;B01J23/75;B01J35/08;B82Y40/00;C01G51/04;C01G49/02 |
代理公司: | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人: | 陈少凌;郭国中 |
地址: | 300072 天津市南*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 改性 组装 结构 氧化物 及其 制备 应用 | ||
1.一种钴铁氧化物的制备方法,其特征在于,所述钴铁氧化物为铁改性的自组装花球结构的钴铁氧化物,花球为纳米片构成,直径范围为200-700 nm;
所述方法包括如下步骤:
1)将钴盐、铁盐与去离子水配置成混合溶液;所述钴盐为硝酸钴,所述铁盐为硫酸铁;所述混合溶液中硝酸钴的浓度为10-80 mM,硫酸铁的浓度为10-80 mM,Co离子与Fe离子的摩尔比为4:1-1:3;
2)在5~35 ℃下通过搅拌进行溶解;
3)在5~35 ℃下,通过三电极体系进行电沉积,制备前驱体;三电极分别为工作电极碳布,对电极铂片电极,参比电极饱和甘汞电极;电沉积电压为-1.2~-0.8 V,电沉积时间为10-60 min;
4)将制得的前驱体洗净、烘干后进行热处理,即得。
2.根据权利要求1所述的钴铁氧化物的制备方法,其特征在于,步骤2)中,搅拌转速为200-800 r/min,搅拌时间为30-180 min。
3.根据权利要求1所述的钴铁氧化物的制备方法,其特征在于,步骤4)中,所述烘干温度为50-80 ℃,烘干时间为60-180 min。
4.根据权利要求1所述的钴铁氧化物的制备方法,其特征在于,步骤4)中,热处理过程的升温速度为1-10 ℃/min,煅烧温度为300-600 ℃,煅烧时间为1-8 h。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010442728.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。