[发明专利]研磨机吸附台表面的清洁方法有效
申请号: | 202010443516.9 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN111744891B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 郭宇轩 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | B08B7/00 | 分类号: | B08B7/00;B08B1/00;B08B13/00;B24B37/28;B24B37/34;B29C35/02;B29C39/10 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨机 吸附 表面 清洁 方法 | ||
本发明公开了一种研磨机吸附台表面的清洁方法,所述方法包括:向吸附台表面供应给定液体,以通过所述给定液体对所述吸附台表面的孔隙进行填充;在所述吸附台表面上浇筑聚合物,以使所述聚合物固化后包覆所述吸附台表面上的杂质颗粒;将包覆有杂质颗粒的固化聚合物从所述吸附台表面上去除。本发明的方法巧妙地利用聚合物固化的过程包覆吸附台表面的杂质颗粒,能够有效清除吸附台表面的杂质颗粒,从而改善研磨的硅片表面质量,减少硅片缺陷的产生,该方法清洁效率高,且不会对吸附台表面造成损伤。
技术领域
本发明涉及双面研磨技术领域,更具体地,涉及一种研磨机吸附台表面的清洁方法。
背景技术
在硅片制造工艺中,单晶硅棒经过线切割工序后,获得的硅片表面会存在线痕和微裂纹等表面损伤,一般需要采用双面研磨工艺来减少或消除这些表面损伤。
双面研磨工艺作为线切割和后道工艺的连接工艺,有着重要意义,经研磨硅片的表面质量直接影响后续工艺加工的精度。双面研磨机通常由硅片定位单元、硅片清洗单元、加工台和吸附台等部件组成。吸附台通过真空吸附硅片,加工台通过安装特定的磨轮对硅片进行加工。双面研磨工艺对吸附台表面的洁净度有很高的要求,如果吸附台表面存在杂质颗粒,当硅片吸附于吸附台表面上时,局部硅片被顶起,导致加工过程中被顶起部分的硅片被过度研磨。当硅片恢复原始形状后,在硅片表面会形成凹陷,从而影响硅片后续的加工质量。
目前对吸附台表面进行清洁的方法主要是利用较平整的刀片进行刮拭,这种清洁方法存在一定的问题:首先,由于吸附台的材质较软,在刮拭过程中可能会对吸附台表面造成损伤,另外,刮拭需要反复多次进行,清洁效率较低。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供了一种研磨机吸附台表面的清洁方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:
本发明提供了一种研磨机吸附台表面的清洁方法,包括:
向吸附台表面供应给定液体,以通过所述给定液体对所述吸附台表面的孔隙进行填充;
在所述吸附台表面上浇筑聚合物,以使所述聚合物固化后包覆所述吸附台表面上的杂质颗粒;
将包覆有杂质颗粒的固化聚合物从所述吸附台表面上去除。
在本发明的一个实施例中,向吸附台表面供应给定液体,以通过所述给定液体对所述吸附台表面的孔隙进行填充,包括:
利用液体供应装置向所述吸附台表面供应给定液体,直至所述给定液体完全覆盖所述吸附台表面;
停止供应所述给定液体以使所述给定液体渗透并填充至所述吸附台表面的孔隙中。
在本发明的一个实施例中,停止供应所述给定液体以使所述给定液体渗透并填充至所述吸附台表面的孔隙中之后,还包括:
利用刮板刮去所述吸附台表面上多余的给定液体;
对所述吸附台表面进行烘干以保持所述吸附台表面干燥。
在本发明的一个实施例中,所述刮板由发泡聚氨酯材料制成。
在本发明的一个实施例中,所述给定液体为去离子水。
在本发明的一个实施例中,在所述吸附台表面上浇筑聚合物,以使所述聚合物固化后包覆所述吸附台表面上的杂质颗粒,包括:
将所述聚合物的本体和固化物以预定比例均匀混合,形成液态混合物;
将所述液态混合物浇筑在所述吸附台表面上,直至所述液态混合物完全覆盖所述吸附台表面;
固化所述液态混合物,形成固态聚合物且所述固态聚合物包覆有所述吸附台表面上的杂质颗粒。
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