[发明专利]巨量转移方法和装置

权利要求书

1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

向记忆材料施加第一预设温度，使所述记忆材料保持第一状态；

将生长基板上的微型LED芯片与处于所述第一状态的记忆材料相接触；

向所述记忆材料施加第二预设温度，使所述记忆材料发生形变，由所述第一状态改变为第二状态；

待所述微型LED芯片稳定吸附于所述记忆材料上后，剥离所述生长基板。

2.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，在向所述记忆材料施加所述第一预设温度之前，所述巨量转移方法还包括：

将所述记忆材料涂覆在转移头上。

3.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述使所述记忆材料保持第一状态，包括：

维持所述记忆材料的温度为第一预设温度不变；

使所述记忆材料的中部发生凹陷且其在所述凹陷的表面形成突起。

4.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述使所述记忆材料发生形变由所述第一状改态变为第二状态，包括：

维持所述记忆材料的温度为所述第二预设温度不变；

使所述记忆材料的表面形成平面。

5.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法还包括：

将所述微型LED芯片转移至第一暂存基板。

6.如权利要求5所述的巨量转移方法，其特征在于，所述将所述微型LED芯片转移至第一暂存基板，包括：

提供所述第一暂存基板，并在所述第一暂存基板上涂覆粘附胶；

将所述微型LED芯片远离所述记忆材料的一侧置于所述粘附胶上；

待所述微型LED芯片稳定粘附于所述第一暂存基板上后，将所述记忆材料的温度由所述第二预设温度改变为所述第一预设温度；

待所述记忆材料的状态由所述第二状态改变为所述第一状态，使所述记忆材料释放所述微型LED芯片。

7.如权利要求6所述的巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法还包括：

将粘附于所述第一暂存基板上的微型LED芯片转移至显示背板上。

8.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第二预设温度大于所述第一预设温度。

9.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述记忆材料包括：乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚氨酯类、苯乙烯树脂和/或环氧树脂。

10.一种巨量转移装置，其特征在于，包括：

施温模块，用于向记忆材料施加第一预设温度，使所述记忆材料保持第一状态；

转移模块，用于将生长基板上的微型LED芯片与处于所述第一状态的记忆材料相接触；

所述施温模块，还用于向所述记忆材料施加第二预设温度，使所述记忆材料发生形变，由所述第一状态改变为第二状态；

所述转移模块，还用于待所述微型LED芯片稳定吸附于所述记忆材料上后，剥离所述生长基板。