[发明专利]巨量转移方法和装置在审
申请号: | 202010443841.5 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN112992753A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 蒲洋;洪温振 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/48 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 巨量 转移 方法 装置 | ||
本发明涉及一种巨量转移方法和装置,其中方法包括以下步骤:向记忆材料施加第一预设温度,使记忆材料保持第一状态;将生长基板上的微型LED芯片与处于第一状态的记忆材料相接触;向记忆材料施加第二预设温度,使记忆材料发生形变,由第一状态改变为第二状态;待微型LED芯片稳定吸附于记忆材料上后,剥离生长基板。该巨量转移方法,无需额外提供吸附力产生装置,且所采用的记忆材料可重复利用,无消耗,成本低。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及巨量转移方法和巨量转移装置。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)由于其具有良好的稳定性,寿命长,以及具有低功耗、色彩饱和度高、反应速度快、对比度强等优点, 故其被广泛地应用于显示器件中。而在LED显示器件的生产过程中,需要将已点亮的LED晶体薄膜无需封装直接搬运到显示背板上,在Micro LED 的生产上,要把数百万甚至数千万颗微米级的LED芯片正确且有效率的移动到显示背板上,这个过程被称为巨量转移。
在现有技术中,在通过巨量转移将微型LED芯片转移到显示背板上时,大都使用胶材粘附转移或真空转移等方法,虽然这些方法能实现转移,但其需要消耗大量材料或者需要利用到真空抽气设备,其会额外增加转移成本,导致显示设备的生产成本较高。
因此,如何提供一种低成本转移方式是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供巨量转移方法和装置,旨在以低成本实现巨量转移。
一种巨量转移方法,包括以下步骤:
向记忆材料施加第一预设温度,使所述记忆材料保持第一状态;
将生长基板上的微型LED芯片与处于所述第一状态的记忆材料相接触;
向所述记忆材料施加第二预设温度,使所述记忆材料发生形变,由所述第一状态改变为第二状态;
待所述微型LED芯片稳定吸附于所述记忆材料上后,剥离所述生长基板。
本发明实施例的巨量转移方法,在进行巨量转移时,首先向记忆材料施加第一预设温度,使记忆材料保持第一状态,进而将生长基板上的微型LED芯片与处于第一状态的记忆材料相接触;然后向记忆材料施加第二预设温度,使记忆材料发生形变,由第一状态改变为第二状态,进而待微型 LED芯片稳定吸附于记忆材料上后,剥离所述生长基板。该巨量转移方法,无需额外提供吸附力产生装置,且所采用的记忆材料可重复利用,无消耗,成本低。
可选地,在向所述记忆材料施加所述第一预设温度之前,所述巨量转移方法还包括:
将所述记忆材料涂覆在转移头上。
可选地,所述使所述记忆材料保持第一状态,包括:
维持所述记忆材料的温度为第一预设温度不变;使所述记忆材料的中部发生凹陷且其在所述凹陷的表面形成突起。
可选地,所述使所述记忆材料发生形变由所述第一状改态变为第二状态,包括:
维持所述记忆材料的温度为所述第二预设温度不变;使所述记忆材料的表面形成平面。
可选地,所述巨量转移方法还包括:
将所述微型LED芯片转移至第一暂存基板。
可选地,所述将所述微型LED芯片转移至第一暂存基板,包括:
提供所述第一暂存基板,并在所述第一暂存基板上涂覆粘附胶;
将所述微型LED芯片远离所述记忆材料的一侧置于所述粘附胶上;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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