[发明专利]同步动态随机存储器测试方法和装置在审

专利信息
申请号: 202010444208.8 申请日: 2020-05-22
公开(公告)号: CN111627490A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 杨超;孙海年;徐建;方伟 申请(专利权)人: 浙江大华技术股份有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 江舟
地址: 310051 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 同步 动态 随机 存储器 测试 方法 装置
【说明书】:

发明公开了一种同步动态随机存储器测试方法和装置。其中,该方法包括:获取预配置的第一测试数据,其中,第一测试数据用于测试同步动态随机存储器SDRAM是否存在连线故障,第一测试数据包括多条测试数据;将第一测试数据写入到SDRAM中,得到第一写入结果;在读取一条第一写入结果,得到一条第一读取结果之后,比对第一读取结果与第一预定输出结果,得到第一统计数据;在第一统计数据大于第一预定阈值的情况下,确定SDRAM出现连线故障。本发明解决了测试SDRAM准确度差的技术问题。

技术领域

本发明涉及计算机领域,具体而言,涉及一种同步动态随机存储器测试方法和装置。

背景技术

现有技术中,在测试同步动态随机存储器SDRAM的过程中,通常是写入一个数据后,立即读出该数据,从而测试SDRAM是否有故障。

然而,上述测试方法由于需要每写入一个数据后立即读取该数据,因此,无法准确测试出SDRAM是否存在连接线故障。也就是说,现有的测试SDRAM的方法对SDRAM的测试准确度差。

针对上述的问题,目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明实施例提供了一种同步动态随机存储器测试方法和装置,以至少解决测试SDRAM准确度差的技术问题。

根据本发明实施例的一个方面,提供了一种同步动态随机存储器测试方法,包括:获取预配置的第一测试数据,其中,所述第一测试数据用于测试同步动态随机存储器SDRAM是否存在连线故障,所述第一测试数据包括多条测试数据;将所述第一测试数据写入到所述SDRAM中,得到第一写入结果;在读取一条所述第一写入结果,得到一条第一读取结果之后,比对所述第一读取结果与第一预定输出结果,得到第一统计数据,其中,所述第一预定输出结果为配置的数据,一条所述第一测试数据对应一条所述第一写入结果,一条所述第一写入结果对应一条所述第一读取结果;在所述第一统计数据大于第一预定阈值的情况下,确定所述SDRAM出现所述连线故障。

根据本发明实施例的另一方面,还提供了一种同步动态随机存储器测试装置,包括:第一获取单元,用于获取预配置的第一测试数据,其中,所述第一测试数据用于测试同步动态随机存储器SDRAM是否存在连线故障,所述第一测试数据包括多条测试数据;第一写入单元,用于将所述第一测试数据写入到所述SDRAM中,得到第一写入结果;第一比对单元,用于在读取一条所述第一写入结果,得到一条第一读取结果之后,比对所述第一读取结果与第一预定输出结果,得到第一统计数据,其中,所述第一预定输出结果为配置的数据,一条所述第一测试数据对应一条所述第一写入结果,一条所述第一写入结果对应一条所述第一读取结果;第一确定单元,用于在所述第一统计数据大于第一预定阈值的情况下,确定所述 SDRAM出现所述连线故障。

作为一种可选的实施方式,上述装置还包括:第一记录单元,用于在确定所述SDRAM出现所述连线故障之前,在写入所述第一测试数据时,记录写入时长;第二记录单元,用于在读取所述第一写入结果时,记录读取时长;第二确定单元,用于在所述写入时长大于预定时长,或者在所述读取时长大于所述预定时长的情况下,结束测试,并确定所述SDRAM出现超时故障。

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