[发明专利]半导体腔室的固定组件及半导体腔室有效
申请号: | 202010445968.0 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN111613506B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 王德志;柳朋亮 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/20 | 分类号: | H01J37/20;H01J37/305;H01J37/32;H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 固定 组件 | ||
本发明公开一种半导体腔室的固定组件及半导体腔室,所公开的固定组件用于固定待加工件(300),该固定组件包括第一环体(100)和至少部分位于第一环体(100)内侧的第二环体(200);第一环体(100)的底面内边缘用于压紧待加工件(300),第一环体(100)的底面内边缘位于第二环体(200)在第一环体(100)的底面的正投影内,第二环体(200)的第一侧面与第一环体(100)的内侧面之间具有第一间隙(410),第一侧面与第一环体(100)的内侧面相对设置。上述方案能够解决待加工件在刻蚀的过程中边缘发黑的问题。
技术领域
本发明涉及半导体芯片制造技术领域,尤其涉及一种半导体腔室的固定组件及半导体腔室。
背景技术
随着科技的快速发展,智能手机、平板电脑等电子产品已经成为现代人生活中不可或缺的产品。这些电子产品内部包括有许多半导体芯片,而半导体芯片的主要制造材料为晶圆。晶圆在加工的过程中需要刻蚀出线路图案,此工艺通常采用半导体设备对晶圆进行刻蚀完成。
相关技术中,半导体设备的反应腔内设置有压环,晶圆作为待加工件在送入反应腔后,需要用压环压紧晶圆,从而防止晶圆在刻蚀的过程中偏离刻蚀位置。
然而,压环与反应腔内的等离子体接触,容易导致压环的温度升高,从而容易造成晶圆的边缘温度过高,致使晶圆的边缘发黑,最终影响晶圆的加工质量。
发明内容
本发明公开一种半导体腔室的固定组件及半导体腔室,以解决待加工件在刻蚀的过程中边缘发黑的问题。
为了解决上述问题,本发明采用下述技术方案:
一种半导体腔室的固定组件,用于固定待加工件,所述固定组件包括第一环体和至少部分位于所述第一环体内侧的第二环体;
所述第一环体的底面内边缘用于压紧所述待加工件,所述第一环体的底面内边缘位于所述第二环体在第一环体的底面的正投影内,所述第二环体的第一侧面与所述第一环体的内侧面之间具有第一间隙,所述第一侧面与所述第一环体的所述内侧面相对设置。
一种半导体腔室,包括用于承载待加工件的基座和环绕所述基座设置的聚焦环,还包括上述的固定组件,所述固定组件用于固定所述待加工件,且所述聚焦环位于所述第一环体的下方。
本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果:
本发明公开的半导体腔室的固定组件中,第一环体用于压紧待加工件,防止待加工件在刻蚀的过程中偏移,第二环体的至少部分位于第一环体的内侧,并且第一环体的底面内边缘位于第二环体在第一环体的底面的正投影内,此时,第一环体的内边缘被第二环体遮盖,因此第一环体的内边缘不容易与等离子体相接触,从而使得第一环体与等离子体的接触面的面积减小,促使第一环体产生的热量较少,进而使得第一环体的温度较低,使得待加工件的边缘温度较低,并且第二环体与第一环体之间具有第一间隙,第一环体和第二环体之间的热传导性能较低,第二环体的热量不容易传递到第一环体上,因此第一环体的温度较低,从而使得待加工件的边缘温度较低,进而不容易导致待加工件的边缘发黑。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明实施例公开的半导体腔室的结构示意图;
图2为本发明实施例公开的固定组件的结构示意图;
图3为本发明实施例公开的固定组件的局部剖视图;
图4为本发明实施例公开的固定组件的局部放大图。
附图标记说明:
100-第一环体、110-定位部、130-压接凸起;
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