[发明专利]三维存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

基底，包括顶表面；

第一存储器单元阵列，包括垂直堆叠在基底的顶表面上的第一存储器单元阵列区域上的多个第一存储器单元；

第二存储器单元阵列，包括垂直堆叠在基底的顶表面上的第二存储器单元阵列区域上的多个第二存储器单元；

多条第一字线，连接到所述多个第一存储器单元，所述多条第一字线包括所述多条第一字线的子集和剩余的第一字线；

多条第二字线，连接到所述多个第二存储器单元，所述多条第二字线包括所述多条第二字线的子集和剩余的第二字线；和

行解码器，包括多个合并传输晶体管，所述多个合并传输晶体管中的每个公共地连接到所述多条第一字线的子集中的相应的一条第一字线和所述多条第二字线的子集中的相应的一条第二字线，并且行解码器被设置在基底的顶表面的在第一存储器单元阵列区域与第二存储器单元阵列区域之间的行解码器区域中。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多条第一字线的子集中的所述相应的一条第一字线和所述多条第二字线的子集中的所述相应的一条第二字线在基底的顶表面上方的相同高度处水平地延伸。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，行解码器还包括：

多个第一传输晶体管，分别连接到剩余的第一字线；和

多个第二传输晶体管，分别连接到剩余的第二字线。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，行解码器区域包括：

第一区域，与第一存储器单元阵列区域邻近并且在其中布置有所述多个第一传输晶体管；

第二区域，与第二存储器单元阵列区域邻近并且在其中布置有所述多个第二传输晶体管；和

第三区域，定位在第一区域与第二区域之间，第三区域在其中布置有所述多个合并传输晶体管。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述多个合并传输晶体管中的每个的增益比所述多个第一传输晶体管中的每个的增益和所述多个第二传输晶体管中的每个的增益大。

6.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述多个合并传输晶体管中的每个的栅极宽度和栅极长度中的至少一个与所述多个第一传输晶体管中的每个的栅极宽度和栅极长度中的至少一个以及所述多个第二传输晶体管中的每个的栅极宽度和栅极长度中的至少一个不同。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多条第一字线的子集包括至少一个第一字线组，所述至少一个第一字线组各自包括在垂直方向上连续布置并连接到所述多个合并传输晶体管的字线；并且

所述多条第二字线的子集包括至少一个第二字线组，所述至少一个第二字线组各自包括在垂直方向上连续布置并连接到所述多个合并传输晶体管的字线。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个合并传输晶体管中的任何一个连接到第一连接线和第二连接线，第一连接线在水平方向上朝向第一存储器单元阵列延伸以连接到所述多条第一字线中的任何一条，第二连接线在水平方向上朝向第二存储器单元阵列延伸以连接到所述多条第二字线中的任何一条，并且

第一连接线的长度等于第二连接线的长度。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：在水平方向上延伸的第一连接线和第二连接线，

其中，所述多个合并传输晶体管中的每个连接到第一连接线中的相应的一条第一连接线和第二连接线中的相应的一条第二连接线，其中，第一连接线中的所述相应的一条第一连接线朝向第一存储器单元阵列延伸以连接到所述多条第一字线的子集中的任何一条，第二连接线中的所述相应的一条第二连接线朝向第二存储器单元阵列延伸以连接到所述多条第二字线的子集中的任何一条，并且

第一连接线中的所述相应的一条第一连接线的长度与第二连接线中的所述相应的一条第二连接线的长度不同。