[发明专利]三维存储器装置

说明书

提供一种三维存储器装置，包括：第一存储器单元阵列，包括垂直堆叠在基底的顶表面的第一存储器单元阵列区域上的第一存储器单元；第二存储器单元阵列，包括垂直堆叠在顶表面的第二存储器单元阵列区域上的第二存储器单元；多条第一字线，连接到第一存储器单元并包括所述多条第一字线的子集和剩余的第一字线；多条第二字线，连接到第二存储器单元并包括所述多条第二字线的子集和剩余的第二字线；行解码器，包括多个合并传输晶体管，所述多个合并传输晶体管各自公共连接到所述多条第一字线的子集中的相应的一条第一字线和所述多条第二字线的子集中的相应的一条第二字线，行解码器设置在第一存储器单元阵列区域与第二存储器单元阵列区域之间的区域中。

要求于2019年6月3日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0065472号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思涉及存储器装置，更具体地，涉及三维存储器装置。

背景技术

存储器装置用于存储数据，并且通常被分类为在没有电力的情况下丢失数据的易失性存储器装置或者在没有电力的情况下保持数据的非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的一个示例是在蜂窝电话、数码相机、便携式数字助理(PDA)、移动计算机装置、固定计算机装置和其他装置中常见的闪存装置。

已经开发了三维(3D)存储器装置以满足非易失性存储器装置的更高的存储器容量和小型化的矛盾需求。三维存储器装置是包括垂直地堆叠在基底上的多个存储器单元或者存储器单元阵列的存储器装置。然而，随着堆叠的存储器单元的数量增加，控制存储器单元所需的晶体管的数量急剧增加。结果，在三维存储器装置中布置晶体管所需的空间增加，因此三维存储器装置的总体尺寸增加。这会导致难以避免超过包括三维存储器装置的存储器封装的临界尺寸。

发明内容

发明构思提供了通过晶体管与存储器单元之间的连接结构以及晶体管的布置结构减小尺寸的三维存储器装置。

发明构思的实施例提供一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底，包括顶表面；第一存储器单元阵列，包括垂直堆叠在基底的顶表面的第一存储器单元阵列区域上的第一存储器单元；第二存储器单元阵列，包括垂直堆叠在基底的顶表面的第二存储器单元阵列区域上的第二存储器单元；多条第一字线，连接到第一存储器单元，所述多条第一字线包括所述多条第一字线的子集和剩余的第一字线；多条第二字线，连接到第二存储器单元，所述多条第二字线包括所述多条第二字线的子集和剩余的第二字线；和行解码器，包括多个合并传输晶体管，所述多个合并传输晶体管中的每个公共地连接到所述多条第一字线的子集中的相应的一条第一字线和所述多条第二字线的子集中的相应的一条第二字线，并且行解码器被设置在基底的顶表面的在第一存储器单元阵列区域与第二存储器单元阵列区域之间的行解码器区域中。

发明构思的实施例还提供一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底，具有顶表面；第一存储器单元阵列，包括第一存储器堆叠，第一存储器堆叠包括垂直堆叠在基底的顶表面的第一存储器单元阵列区域上的第一存储器单元；第二存储器单元阵列，包括第二存储器堆叠，第二存储器堆叠包括垂直堆叠在基底的顶表面的第二存储器单元阵列区域上的第二存储器单元；多条第一字线，连接到第一存储器单元，所述多条第一字线包括所述多条第一字线的子集和剩余的第一字线；多条第二字线，连接到第二存储器单元，所述多条第二字线包括所述多条第二字线的子集和剩余的第二字线；多个第一合并传输晶体管，布置在第一存储器单元阵列区域与第二存储器单元阵列区域之间的区域中，所述多个第一合并传输晶体管中的每个公共地连接到所述多条第一字线的子集中的相应的一条第一字线和所述多条第二字线的子集中的相应的一条第二字线；多个第一传输晶体管，布置得与第一存储器单元阵列区域邻近并且分别连接到剩余的第一字线；和多个第二传输晶体管，布置得与第二存储器单元阵列区域邻近并且分别连接到剩余的第二字线。