[发明专利]晶圆预对位和晶圆ID读取方法、装置和计算机设备有效
申请号: | 202010447013.9 | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN111785659B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 郭剑飞;姚建强;陈夏薇;陈思乡 | 申请(专利权)人: | 杭州长川科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人: | 金无量 |
地址: | 310051 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆预 对位 id 读取 方法 装置 计算机 设备 | ||
本申请涉及一种晶圆预对位和晶圆ID读取方法、装置、计算机设备和可读存储介质,其中,所述方法包括:获取所述晶圆的边缘图像;根据所述边缘图像计算晶圆轮廓信息以及晶圆缺口位置信息;根据所述边缘图像、晶圆轮廓信息和晶圆缺口位置信息进行晶圆预对位以及读取晶圆ID。本申请提供的方法,通过将ID读取和预对位功能整合到一个模块中,晶圆预对位和晶圆ID读取两个流程可以同时进行,且可以避免机械手在预对位位置与ID读取位置之间搬运晶圆,简化了晶圆测试流程,提高晶圆测试的效率。
技术领域
本发明涉及集成电路测试设备技术领域,特别是涉及一种晶圆预对位和晶圆ID读取方法、装置和计算机设备。
背景技术
晶圆预对位和晶圆ID读取是晶圆测试设备的重要功能,晶圆在进行探针测试或者光检之前都要经过预对位检测晶圆中心位置和缺口方向,以调整晶圆的位置和角度,使晶圆放到测试工位的位置和角度满足要求。晶圆信息与晶圆ID相关联,因此,读取晶圆ID也是晶圆测试流程中的重要步骤。
目前进行晶圆预对位和晶圆ID读取通常需要预对位装置和ID读取装置两个独立的模块,晶圆先进行预对位后再依靠机械手搬运到相机下读取ID,流程繁琐。尤其是当读取ID的晶圆缺口角度与晶圆放到测试工位的角度要求不同时,读取ID后还要放回预对位模块上进行角度调整,效率低下。因此需要设计一套兼具预对位及ID读取功能的装置以提高晶圆测试效率。
发明内容
本申请提供一种晶圆预对位和晶圆ID读取方法、装置和计算机设备,可以简化晶圆测试流程,提高晶圆测试的效率。
一种晶圆预对位和晶圆ID读取方法,所述方法包括:
获取所述晶圆的边缘图像;
根据所述边缘图像计算晶圆轮廓信息以及晶圆缺口位置信息;
根据所述边缘图像、晶圆轮廓信息和晶圆缺口位置信息进行晶圆预对位以及读取晶圆ID。
在其中一个实施例中,所述获取所述晶圆的边缘图像包括:
控制线阵相机以预设采集频率采集放置在旋转平台上晶圆的多个单行图像;
根据多个所述单行图像得到所述晶圆的边缘图像。
在其中一个实施例中,所述根据多个所述单行图像得到所述晶圆的边缘图像包括:
获取多个所述单行图像的存储地址;
根据所述存储地址,对多个所述单行图像合成处理得到所述晶圆的边缘图像。
在其中一个实施例中,所述预设采集频率与所述旋转平台的旋转速度匹配。
在其中一个实施例中,根据所述边缘图像计算所述晶圆的晶圆轮廓信息以及晶圆缺口位置信息包括:
根据所述边缘图像提取轮廓得到晶圆轮廓信息;
根据所述晶圆轮廓信息查找晶圆缺口位置信息。
在其中一个实施例中,所述根据所述边缘图像、晶圆轮廓信息和晶圆缺口位置信息进行晶圆预对位以及读取晶圆ID包括:
获取晶圆缺口与晶圆ID的相对位置信息;
根据所述边缘图像、晶圆缺口与晶圆ID的相对位置信息以及晶圆缺口位置信息,确定晶圆ID位置信息;
根据所述边缘图像以及晶圆ID位置信息读取所述晶圆ID;
根据所述晶圆轮廓信息计算所述晶圆偏心量;
根据所述偏心量进行晶圆预对位。
在其中一个实施例中,利用字符识别算法读取所述晶圆ID。
一种晶圆预对位和晶圆ID读取装置,所述装置包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州长川科技股份有限公司,未经杭州长川科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010447013.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造