[发明专利]存储器装置在审

专利信息
申请号: 202010447564.5 申请日: 2020-05-25
公开(公告)号: CN113721831A 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 葛新城 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F11/30;G11C5/14
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 装置
【权利要求书】:

1.一种存储器装置,包含:

至少一个第一寄存器;

存储器电路,包含多个位单元;

分析电路,被配置为对所述位单元执行分析程序,以产生分析结果;以及

控制电路,其中若所述分析结果指示所述位单元中的第一位单元失效,所述控制电路控制数据写入所述至少一个第一寄存器,及控制所述数据从所述至少一个第一寄存器读出,以完成修复程序。

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述至少一个第一寄存器的容量等于所述存储器电路的一列容量或一行容量。

3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述至少一个第一寄存器的数量为N,且N为大于1的正整数。

4.根据权利要求3所述的存储器装置,还包含:

选择电路,耦合到N个所述第一寄存器,

其中所述控制电路用以依据所述分析结果输出选择信号,且所述选择电路用以依据所述选择信号,将所述数据从N个所述第一寄存器中的一者读出。

5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述控制电路用以依据写入地址以及读取地址中的一者以及所述第一位单元的失效地址启用所述至少一个第一寄存器,以将所述数据写入所述至少一个第一寄存器、或将所述数据从所述至少一个第一寄存器读出。

6.根据权利要求5所述的存储器装置,还包含:

第二寄存器,用以存储所述失效地址。

7.根据权利要求5所述的存储器装置,还包含:

非暂态存储电路,用以存储所述失效地址。

8.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述存储器装置用以基于多个操作电压执行所述分析程序,以得到多个失效地址,且所述控制电路对所述失效地址执行所述修复程序。

9.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述控制电路还用以调整所述存储器装置的传输档位以产生多个调整传输档位,且所述存储器装置用以依据所述调整传输档位执行所述分析程序,以得到多个失效地址,且所述控制电路对所述失效地址执行所述修复程序,其中所述传输档位对应于频率上限。

10.一种存储器装置,包含:

存储器电路,包含多个位单元;

分析电路,被配置为分析所述位单元,以产生分析结果;以及

控制电路,其中若所述分析结果指示所述位单元中的第一位单元失效,所述控制电路调整所述存储器装置的操作电压以产生调整操作电压,且所述存储器装置依据所述调整操作电压运作。

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