[发明专利]存储器装置在审
申请号: | 202010447564.5 | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN113721831A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 葛新城 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F11/30;G11C5/14 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 | ||
本公开的实施例涉及存储器装置。一种存储器装置包含至少一个第一寄存器、一存储器电路、一分析电路以及一控制电路。存储器电路包含多个位单元。分析电路被配置为对这些位单元执行一分析程序,以产生一分析结果。若分析结果指示这些位单元中的一第一位单元失效,控制电路控制一数据写入至少一个第一寄存器,及控制数据从至少一个第一寄存器读出,以完成一修复程序。
技术领域
本公开中所述实施例内容是有关于一种存储器技术,特别关于一种具有修复机制的存储器装置。
背景技术
随着存储器技术的发展,存储器装置已应用至许多领域,以存储各式数据。基于不同的应用(例如:不同功耗),存储器装置需运作于不同的环境条件。当存储器装置中的位单元(bit cell)失效,将会影响到存储器装置的正常运作。
发明内容
本公开的一些实施方式是关于一种存储器装置。存储器装置包含至少一个第一寄存器、一存储器电路、一分析电路以及一控制电路。存储器电路包含多个位单元。分析电路被配置为对这些位单元执行一分析程序,以产生一分析结果。若分析结果指示这些位单元中的一第一位单元失效,控制电路控制一数据写入至少一个第一寄存器,以及控制数据从至少一个第一寄存器读出,以完成一修复程序。
本公开的一些实施方式是关于一种存储器装置。存储器装置包含一存储器电路、一分析电路以及一控制电路。存储器电路包含多个位单元。分析电路被配置为分析这些位单元以产生一分析结果。若分析结果指示这些位单元中的一第一位单元失效,控制电路调整存储器装置的一操作电压以产生一调整操作电压,且存储器装置依据调整操作电压运作。
综上所述,本公开的存储器装置具有较佳的修复机制,可提升整体良率。
附图说明
为让本公开的上述和其他目的、特征、优点与实施例能够更明显易懂,附图的说明如下:
图1是依照本公开一些实施例所绘示的一存储器装置的示意图;
图2是依照本公开一些实施例所绘示的一存储器装置的示意图;
图3是依照本公开一些实施例所绘示的一存储器装置的示意图;
以及
图4是依照本公开一些实施例所绘示的一存储器装置的示意图。
具体实施方式
本文所使用的所有词汇具有其通常的意涵。上述词汇在普遍常用的字典中的定义,在本公开的内容中包含任一于此讨论的词汇的使用例子仅为示例,不应限制到本公开的范围与意涵。同样地,本公开亦不仅以于此说明书所示出的各种实施例为限。
本文所使用的用词“耦合”亦可指“电性耦合”,且用词“连接”亦可指“电性连接”。“耦合”及“连接”亦可指二个或多个组件相互配合或相互互动。
参考图1。图1是依照本公开一些实施例所绘示的存储器装置100的示意图。以图1标例而言,存储器装置100包含存储器电路120、分析电路130、控制电路140、选择电路150以及寄存器REG2。存储器装置100还包含寄存器REG[1]-REG[N],其中N为等于或大于1的正整数。
存储器电路120耦合到分析电路130、控制电路140以及选择电路150。分析电路130耦合到控制电路140。控制电路140耦合到选择电路150、寄存器REG[1]-REG[N]以及寄存器REG2。寄存器REG[1]-REG[N]耦合到选择电路150。
存储器电路120包含多个位单元(bit cell)BC。位单元亦可称为存储器单元。在这个例子中,存储器电路120包含8192×64个位单元BC。也就是说,这些位单元BC排列成8192行(row)以及64列(column)的数组型式。上述关于存储器电路120中位单元BC的数量仅用于示例,各种适用的数量皆在本公开所涵盖的范围内。
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