[发明专利]基于动态可重配技术的可扩展多端口块状存储单元

权利要求书

1.一种基于动态可重配技术的可扩展多端口块状存储单元，其特征在于，所述可扩展多端口块状存储单元包括动态重配置接口、第一块状SRAM、第二块状SRAM、读控制模块和写控制模块，两块SRAM完全相同且端口均为1R1W，所述动态重配置接口的输入端获取配置参数、输出端连接所述读控制模块、写控制模块、第一块状SRAM和第二块状SRAM，所述动态重配置接口根据获取到的配置参数配置所述读控制模块、写控制模块、第一块状SRAM和第二块状SRAM的配置位，使得所述可扩展多端口块状存储单元在多端口工作模式和普通工作模式之间动态切换；

当所述可扩展多端口块状存储单元处于多端口工作模式时，所述第一块状SRAM和第二块状SRAM在内部的地址控制模块的控制下并行工作，所述第一块状SRAM和第二块状SRAM占用相同的地址，所述可扩展多端口块状存储单元的有效地址宽度为所述第一块状SRAM的有效地址宽度；所述写控制模块通过两个写数据端口获取写数据并写入其中一个块状SRMA中、所述读控制模块从其中一个块状SRAM中获取读数据并通过一个读数据端口输出，或者，所述写控制模块通过一个写数据端口获取写数据并写入其中一个块状SRMA中、所述读控制模块从其中一个块状SRAM中获取读数据并通过两个读数据端口输出，或者，所述写控制模块通过两个写数据端口获取写数据并写入其中一个块状SRMA中、所述读控制模块从其中一个块状SRAM中获取读数据并通过两个读数据端口输出；

当所述可扩展多端口块状存储单元处于普通工作模式时，所述第一块状SRAM和第二块状SRAM在内部的地址控制模块的控制下串行工作，所述第一块状SRAM占用低位地址，第二块状SRAM占用高位地址，所述可扩展多端口块状存储单元的有效地址宽度为所述第一块状SRAM的有效地址宽度与所述第二块状SRAM的有效地址宽度之和；所述读控制模块和写控制模块均处于旁路状态，写数据通过块状SRAM的写端口写入、块状SRAM的数据通过读端口输出。

2.根据权利要求1所述的可扩展多端口块状存储单元，其特征在于，两个块状SRAM内部的地址控制模块包括地址指示标志电路；

当所述可扩展多端口块状存储单元处于多端口工作模式时，所述地址指示标志电路指示各个地址的指示标志位的状态为新状态或旧状态，且两个块状SRAM中对于同一个地址的指示标志位的状态始终相反；所述写控制模块写入写数据后，地址指示标志电路更新两个块状SRAM中的指示标志位的状态；所述读控制模块根据两个块状SRAM中的指示标志位的状态获取读数据；

当所述可扩展多端口块状存储单元处于普通工作模式时，两个块状SRAM内部的地址指示标志电路均处于旁路状态。

3.根据权利要求2所述的可扩展多端口块状存储单元，其特征在于，

所述写控制模块包括第一输入MUX_REG、第二输入MUX_REG和输入选择调度器，两个输入MUX_REG分别连接两个写数据端口，两个输入MUX_REG内部分别包括写寄存器，两个输入MUX_REG根据所述输入选择调度器选择控制写入获取到的写数据；

所述读控制模块包括第一输出MUX_REG、第二输出MUX_REG和输出选择调度器，两个输出MUX_REG分别连接两个读数据端口，两个输出MUX_REG内部分别包括读寄存器，两个输出MUX_REG根据所述输出选择调度器选择控制获取读数据。

4.根据权利要求3所述的可扩展多端口块状存储单元，其特征在于，两个输入MUX_REG通过所述输入选择调度器查询处于空闲状态的块状SRAM并写入获取到的写数据，地址指示标志电路将写入数据的所述的块状SRAM的相应地址的指示标志位的状态置为新状态、将另一个块状SRAM的同一地址的指示标志位的状态置为旧状态；

两个输出MUX_REG通过所述输出选择调度器查询相应地址的地址标志位的状态为新状态的块状SRAM并获取读数据输出。

5.根据权利要求4所述的可扩展多端口块状存储单元，其特征在于，当两个输入MUX_REG同时写同一个地址时，归一化成一次写操作；当两个输出MUX_REG同时读同一个地址时，从地址标志位的状态为新状态的块状SRAM中读取并分别寄存两个输出MUX_REG输出。