[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板、设置在所述基板上的栅极、覆盖所述栅极及所述基板的栅绝缘层及设置在所述栅绝缘层上的半导体层和源极，以及覆盖所述栅绝缘层、半导体层和源极的钝化层和设置在所述钝化层上方的像素电极，所述钝化层中设有贯通所述钝化层的接触孔，所述接触孔与所述半导体层的局部区域对应，所述像素电极通过所述接触孔与所述半导体层接触；其中，所述半导体层和所述源极具有相互重叠的部分。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极的一侧覆盖部分所述半导体层，或者，所述半导体层的一侧覆盖部分所述源极。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层的层数为至少一层，且所述半导体层为铟镓锌氧化物半导体层。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层至少包括依次层叠在所述栅绝缘层上的第一半导体层和第二半导体层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述源极包括依次层叠在所述栅绝缘层上的第一金属层和第二金属层；其中，所述第一金属层中的金属包括钛、钼中的至少一种，所述第二金属层中的金属包括铜、铝中的至少一种。

6.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层包括依次层叠在所述基板上的第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，所述第一栅绝缘层为氮化硅层，所述第二栅绝缘层为氧化硅层。

7.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层包括依次层叠在所述栅绝缘层上的第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层为氧化硅层，所述第二钝化层为氮化硅层。

8.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括有机绝缘层，所述有机绝缘层覆盖在所述钝化层上，所述像素电极设置在所述有机绝缘层上，所述接触孔贯通所述有机绝缘层和所述钝化层。

9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上依次形成栅极和栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成半导体层和源极，其中，所述半导体层和所述源极具有相互重叠的部分；

在所述栅绝缘层上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述栅绝缘层、半导体层和源极；

在所述钝化层中形成贯通所述钝化层的接触孔，所述接触孔与所述半导体层的局部区域对应；

在所述钝化层上方形成像素电极，所述像素电极通过所述接触孔与所述半导体层接触。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述栅绝缘层上形成半导体层和源极，具体包括：

在所述栅绝缘层上形成所述半导体层；

在所述栅绝缘层上形成所述源极，所述源极的一侧覆盖部分所述半导体层。

11.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述栅绝缘层上形成半导体层和源极，具体包括：

在所述栅绝缘层上形成所述源极；

在所述栅绝缘层上形成所述半导体层，所述半导体层的一侧覆盖部分所述源极。

12.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。