[发明专利]高穿透性液晶显示面板及制备方法

权利要求书

1.一种高穿透性液晶显示面板，其特征在于，所述高穿透性液晶显示面板包括：

玻璃基板；

第一缓冲层，形成在所述玻璃基板上；

遮光层，形成在所述第一缓冲层上，所述遮光层的关键尺寸小于所述第一缓冲层的关键尺寸；

阻挡层，形成在所述遮光层上；

第二缓冲层，形成在所述阻挡层上；

有源层，形成在所述第二缓冲层上；

栅极绝缘层，形成在所述第一缓冲层上并完全覆盖所述遮光层、所述阻挡层、所述第二缓冲层以及所述有源层；

栅极金属层，形成在所述栅极绝缘层上；

源漏级金属层，形成在所述栅极绝缘层上，所述源漏级金属层通过过孔与所述有源层的两端相连接；

钝化层，位于所述栅极绝缘层上，并完全覆盖所述栅极金属层以及所述源漏级金属层；

其中，所述遮光层、所述阻挡层以及所述第二缓冲层的关键尺寸均相同，所述有源层的关键尺寸小于所述第二缓冲层的关键尺寸；所述第一缓冲层、所述第二缓冲层以及所述栅极绝缘层均为高穿透性的绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的高穿透性液晶显示面板，其特征在于，所述高穿透性的绝缘膜的材料为SiO_x。

3.根据权利要求1所述的高穿透性液晶显示面板，其特征在于，所述遮光层通过湿法刻蚀工艺制备。

4.根据权利要求3所述的高穿透性液晶显示面板，其特征在于，所述遮光层的材料为Mo。

5.根据权利要求1所述的高穿透性液晶显示面板，其特征在于，所述阻挡层的材料为SiN_x，所述有源层的材料为多晶硅，所述栅极金属层的材料为Mo。

6.一种如权利要求1～5任一项所述的高穿透性液晶显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

S10，在一玻璃基板上依次沉积第一缓冲层、钼金属薄膜、氮化硅薄膜、氧化硅薄膜以及非晶硅薄膜，所述非晶硅薄膜经准分子镭射退火装置形成多晶硅薄膜；

S20，通过一道光罩在所述多晶硅薄膜表面进行曝光和显影，得到图案化的第一光阻；

S30，利用干法刻蚀工艺依次对所述多晶硅薄膜、所述氧化硅薄膜以及氮化硅薄膜进行刻蚀，保留分别被所述第一光阻覆盖的部分所述多晶硅薄膜、部分所述氧化硅薄膜以及部分氮化硅薄膜；

S40，利用湿法刻蚀工艺对所述钼金属薄膜进行刻蚀，保留被所述第一光阻覆盖的部分所述钼金属薄膜为遮光层；

S50，利用干法刻蚀工艺的灰化功能对所述第一光阻进行刻蚀，得到图案化的第二光阻；

S60，利用干法刻蚀工艺对所述多晶硅薄膜进行刻蚀，保留被所述第二光阻覆盖的部分所述多晶硅薄膜为有源层，并去除所述第二光阻；

S70，在所述第一缓冲层表面依次沉积栅极绝缘层、栅极金属层、源漏级金属层以及钝化层，最终得到所述高穿透性液晶显示面板。

7.根据权利要求6所述的高穿透性液晶显示面板的制备方法，其特征在于，所述S10中，所述第一缓冲层为高穿透性的绝缘膜。

8.根据权利要求7所述的高穿透性液晶显示面板的制备方法，其特征在于，所述高穿透性的绝缘膜为SiOx。

9.根据权利要求6所述的高穿透性液晶显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一光阻的关键尺寸大于正常值，所述第二光阻的关键尺寸等于正常值。