[发明专利]高穿透性液晶显示面板及制备方法

说明书

一种高穿透性液晶显示面板及制备方法，所述高穿透性液晶显示面板包括：玻璃基板、第一缓冲层、遮光层、阻挡层、第二缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、源漏级金属层以及钝化层；所述遮光层形成在所述第一缓冲层上，且所述遮光层的关键尺寸小于所述第一缓冲层的关键尺寸；其中，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层以及所述栅极绝缘层均为高穿透性的绝缘膜。本申请实施例在有源层底部设置高穿透性绝缘膜与阻挡金属离子膜形成的叠层结构，并且将开口区的缓冲层设置为高穿透性绝缘膜，在提高液晶显示面板的透过率的同时，降低了液晶显示面板的制作成本。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种高穿透性液晶显示面板及制备方法。

背景技术

近年来，在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Display，TFT-LCD)逐渐往节电化、高清晰化及提高色再现性等项目进行开发。其中提高穿透性能以提升TFT-LCD的亮度并减少电力损耗，是各家面板厂都在想办法攻克的难关。TFT-LCD面板的穿透性是指背光源透过TFT-LCD面板前后的光强之比例。通常情况下TFT-LCD的透光率只有3-10％，也就是说超过90％的光是无法得到利用的。对于TFT来说，除了金属走线外，对穿透率影响较大的还有由氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)，平坦层等材料构成的多层膜结构。每层膜的折射率和厚度都会对多层膜的整体穿透率产生影响。因此，可以通过调节每层膜的膜质、厚度、膜层结构等参数来提高多层膜的穿透率。

目前业界常用的低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)TFT的底层缓冲层由SiN_x和SiO_x构成。通常来说，SiN_x的折射率会大于SiO_x和玻璃，因此光在穿过玻璃/SiN_x和SiN_x/SiO_x界面时会有反射，造成透过率降低。为了提高透过率，可用SiO_x代替SiN_x，形成缓冲层全SiO_x结构。但SiO_x对玻璃基底中的金属离子(如Na、K离子)阻隔能力较弱，使玻璃基底中的金属离子扩散至有源层，造成TFT电性异常。另外，目前采用LTPS为有源层时，需要在制备缓冲层前制作一层遮光层，防止有源层在背光的照射下产光生电流。然而，遮光层普遍采用金属形成的图案，由此需要新增一道遮光层的光罩。

因此，有必要提供一种高穿透性液晶显示面板及制备方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本申请实施例提供一种高穿透性液晶显示面板及制备方法，既能使液晶显示面板开口区的透过率提高，又能节约光罩数节省成本，以解决现有的液晶显示面板在开口区穿透率不足且成本过高的技术问题。

本申请实施例提供一种高穿透性液晶显示面板，所述高穿透性液晶显示面板包括：玻璃基板、第一缓冲层、遮光层、阻挡层、第二缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、源漏级金属层以及钝化层；所述第一缓冲层形成在所述玻璃基板上；所述遮光层形成在所述第一缓冲层上，且所述遮光层的关键尺寸小于所述第一缓冲层的关键尺寸；所述阻挡层形成在所述遮光层上；所述第二缓冲层形成在所述阻挡层上；所述有源层形成在所述第二缓冲层上；所述栅极绝缘层形成在所述第一缓冲层上并完全覆盖所述遮光层、所述阻挡层、所述第二缓冲层以及所述有源层；所述栅极金属层形成在所述栅极绝缘层上；所述源漏级金属层形成在所述栅极绝缘层上，且所述源漏级金属层通过过孔与所述有源层的两端相连接；所述钝化层位于所述栅极绝缘层上并完全覆盖所述栅极金属层以及所述源漏级金属层；

其中，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层以及所述栅极绝缘层均为高穿透性的绝缘膜。

在一些实施例中，所述高穿透性的绝缘膜的材料为SiO_x。